是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.27 |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
增益: | 13 dB | 最大输入功率 (CW): | 5 dBm |
JESD-609代码: | e0 | 最大工作频率: | 1200 MHz |
最小工作频率: | 700 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 射频/微波设备类型: | NARROW BAND LOW POWER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC668LP3E | ADI |
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LNA with Failsafe Bypass Mode SMT, 700 - 1200 MHz | |
HMC668LP3E | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC LNA w/ FAILSAFE BYPASS MODE, 700 - 1200 MHz | |
HMC668LP3ERTR | ADI |
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IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC | |
HMC668LP3ETR | HITTITE |
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Narrow Band Low Power Amplifier, | |
HMC668LP3ETR | ADI |
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LNA with Failsafe Bypass Mode SMT, 700 - 1200 MHz | |
HMC668LP3RTR | ADI |
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IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC | |
HMC668LP3TR | ADI |
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LNA with Failsafe Bypass Mode SMT, 700 - 1200 MHz | |
HMC669LP3 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC LNA w/ FAILSAFE BYPASS MODE, 1700 - 2200 MHz | |
HMC669LP3E | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC LNA w/ FAILSAFE BYPASS MODE, 1700 - 2200 MHz | |
HMC669LP3ERTR | ADI |
获取价格 |
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC |