是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.12 |
Is Samacsys: | N | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 增益: | 16 dB |
最大输入功率 (CW): | 10 dBm | JESD-609代码: | e0 |
最大工作频率: | 2700 MHz | 最小工作频率: | 2300 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
射频/微波设备类型: | NARROW BAND LOW POWER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC667LP2E | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2.3 - 2.7 GHz | |
HMC667LP2ETR | HITTITE |
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暂无描述 | |
HMC667LP2TR | HITTITE |
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暂无描述 | |
HMC668LP3 | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC LNA w/ FAILSAFE BYPASS MODE, 700 - 1200 MHz | |
HMC668LP3E | ADI |
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LNA with Failsafe Bypass Mode SMT, 700 - 1200 MHz | |
HMC668LP3E | HITTITE |
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GaAs PHEMT MMIC LNA w/ FAILSAFE BYPASS MODE, 700 - 1200 MHz | |
HMC668LP3ERTR | ADI |
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IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC | |
HMC668LP3ETR | HITTITE |
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Narrow Band Low Power Amplifier, | |
HMC668LP3ETR | ADI |
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LNA with Failsafe Bypass Mode SMT, 700 - 1200 MHz | |
HMC668LP3RTR | ADI |
获取价格 |
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,GAAS,LLCC,16PIN,PLASTIC |