5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC659LC5RTR
HMC659LC5RTR PDF预览

HMC659LC5RTR

更新时间： 2024-02-02 09:45:29
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
8页 288K
描述
RF/Microwave Amplifier, 1 Func,

阅读下载

获取价格

HMC659LC5RTR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：LCC32,.2SQ,20
针数：32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.26特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：14 dB
最大输入功率 (CW)：20 dBmJESD-609代码：e4
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：32最大工作频率：15000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：LCC32,.2SQ,20电源：3/8 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Base Number Matches：1

HMC659LC5RTR 数据手册

 浏览型号HMC659LC5RTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMC659LC5RTR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMC659LC5RTR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMC659LC5RTR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMC659LC5RTR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMC659LC5RTR的Datasheet PDF文件第7页 
HMC659LC5  
v01.0308  
GaAs PHEMT MMIC  
POWER AMPLIFIER, DC - 15 GHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC659LC5 wideband PA is ideal for:  
• Telecom Infrastructure  
• Microwave Radio & VSAT  
• Military & Space  
P1dB Output Power: +27.5 dBm  
Gain: 19 dB  
Output IP3: +35 dBm  
6
Supply Voltage: +8V @ 300 mA  
50 Ohm Matched Input/Output  
32 Lead Ceramic 5x5mm SMT Package: 25mm2  
• Test Instrumentation  
• Fiber Optics  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC659LC5 is a GaAs MMIC PHEMT Dis-  
tributed Power Amplifier which is housed in a leadless  
5x5 mm RoHS compliant ceramic SMT package  
operating between DC and 15 GHz. The amplifier  
provides 19 dB of gain, +35 dBm output IP3 and  
+27.5 dBm of output power at 1 dB gain compression,  
while requiring 300mA from a +8V supply. Gain flat-  
ness is excellent at 1.4 dB from DC - 15 GHz making  
the HMC659LC5 ideal for EW, ECM, Radar and test  
equipment applications. The HMC659LC5 amplifier  
I/Os are internally matched to 50 ohms with no ex-  
ternal components. The HMC659LC5 is compatible  
with high volume surface mount manufacturing  
techniques.  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd= +8V, Vgg2= +3V, Idd= 300 mA*  
Parameter  
Frequency Range  
Min.  
Typ.  
DC - 6  
19  
Max.  
Min.  
Typ.  
6 - 11  
18  
Max.  
Min.  
Typ.  
11 - 15  
17  
Max.  
Units  
GHz  
dB  
Gain  
16  
15  
14  
Gain Flatness  
0.7  
0.4  
0.7  
dB  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
0.015  
20  
0.019  
18  
0.022  
17  
dB/ °C  
dB  
Output Return Loss  
19  
20  
15  
dB  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Saturated Output Power (Psat)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
Noise Figure  
23.5  
26.5  
28.0  
35  
24.5  
27.5  
28.5  
32  
23.5  
26.5  
27.5  
29  
dBm  
dBm  
dBm  
dB  
3.0  
2.5  
3.5  
Supply Current  
(Idd) (Vdd= 8V, Vgg1= -0.8V Typ.)  
300  
300  
300  
mA  
* Adjust Vgg1 between -2 to 0V to achieve Idd= 300 mA typical.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
6 - 332  
12345678

下载PDF

与HMC659LC5RTR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HMC659LC5TR HITTITE 暂无描述

获取价格
HMC65DRAH ETC CONN EDGE DUAL FMALE 130POS .100

获取价格
HMC65DRAH-S734 ETC CONN EDGE DUAL FMALE 130POS .100

获取价格
HMC65DRAI ETC CONN EDGE DUAL FMALE 130POS .100

获取价格
HMC65DRAI-S734 ETC CONN EDGE DUAL FMALE 130POS .100

获取价格
HMC65DRAN ETC CONN EDGE DUAL FMALE 130POS .100

获取价格

与HMC659LC5RTR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证