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HMC659

更新时间： 2024-11-09 04:22:03
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HITTITE 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
8页 321K
描述
GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 15 GHz

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HMC659 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：14.8 dB最大输入功率 (CW)：20 dBm
最大工作频率：15000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-55 °C
射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWERBase Number Matches：1

HMC659 数据手册

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HMC659  
v00.0807  
GaAs PHEMT MMIC  
POWER AMPLIFIER, DC - 15 GHz  
3
Typical Applications  
Features  
The HMC659 is ideal for:  
• Telecom Infrastructure  
• Microwave Radio & VSAT  
• Military & Space  
P1dB Output Power: +26.5 dBm  
Gain: 19 dB  
Output IP3: +35 dBm  
Supply Voltage: +8V @ 300 mA  
50 Ohm Matched Input/Output  
Die Size: 3.115 x 1.630 x 0.1 mm  
• Test Instrumentation  
• Fiber Optics  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC659 is a GaAs MMIC PHEMT Distributed  
Power Amplifier die which operates between DC and  
15 GHz. The amplifier provides 19 dB of gain,  
+35 dBm output IP3 and +26.5 dBm of output power  
at 1 dB gain compression while requiring 300 mA  
from a +8V supply. Gain flatness is excellent at 0.5  
dB from DC to 10 GHz making the HMC619 ideal for  
EW, ECM, Radar and test equipment applications.  
The HMC619 amplifier I/Os are internally matched  
to 50 ohms facilitating integration into Mutli-Chip-  
Modules (MCMs). All data is taken with the chip  
connected via two 0.025mm (1 mil) wire bonds of mini-  
mal length 0.31 mm (12 mils).  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd= +8V, Vgg2= +3V, Idd= 300 mA*  
Parameter  
Frequency Range  
Min.  
Typ.  
DC - 6  
19.1  
0.5  
Max.  
Min.  
Typ.  
6 - 11  
18.5  
0.15  
0.018  
17  
Max.  
Min.  
Typ.  
11 - 15  
17.8  
0.6  
Max.  
Units  
GHz  
dB  
Gain  
16.1  
15.5  
14.8  
Gain Flatness  
dB  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
0.013  
19  
0.025  
15  
dB/ °C  
dB  
Output Return Loss  
18  
17  
15  
dB  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Saturated Output Power (Psat)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
Noise Figure  
23  
25.5  
26  
24  
26.5  
27  
22.5  
25  
dBm  
dBm  
dBm  
dBc  
27  
35  
32  
29  
2.5  
2
3
Supply Current  
(Idd) (Vdd= 10V, Vgg1= -0.8V Typ.)  
300  
300  
300  
mA  
* Adjust Vgg1 between -2 to 0V to achieve Idd= 300 mA typical.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
3 - 122  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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