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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC593LP3ETR
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HMC593LP3ETR

更新时间： 2024-11-29 13:00:19
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
8页 290K
描述
Narrow Band Low Power Amplifier,

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HMC593LP3ETR 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.63射频/微波设备类型：NARROW BAND LOW POWER
Base Number Matches：1

HMC593LP3ETR 数据手册

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HMC593LP3 / 593LP3E  
v03.0309  
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER w/ BYPASS MODE, 3.3 - 3.8 GHz  
8
Typical Applications  
The HMC593LP3(E) is ideal for:  
• Wireless Infrastructure  
• Fixed Wireless  
Features  
Noise Figure: 1.2 dB  
Output IP3: +29 dBm  
Gain: 19 dB  
• WiMAX WiBro / 4G  
Low Loss LNA Bypass Path  
Single Supply: +3V or +5V  
50 Ohm Matched Output  
• Tower Mounted Amplifiers  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC593LP3(E) is a versatile, high dynamic  
range GaAs MMIC Low Noise Amplifier that  
integrates a low loss LNA bypass mode on the IC.  
The amplifier is ideal for WiBro & WiMAX receivers  
operating between 3.3 and 3.8 GHz and provides  
1.2 dB noise figure, 19 dB of gain and +29 dBm IP3  
from a single supply of +5V @ 40mA. Input and output  
return losses are 23 and 13 dB respectively with no  
external matching components required. A single  
control line (0/Vdd) is used to switch between LNA  
mode and a low 2 dB loss bypass mode reducing the  
current consumption to 10 μA.  
Electrical Specifications, TA = +25° C  
Vdd = +3V  
Bypass Mode  
Vdd = +5V  
Bypass Mode  
Parameter  
LNA Mode  
Typ. Max. Min.  
LNA Mode  
Typ. Max. Min.  
Units  
Min.  
14  
Typ. Max. Min.  
3.3 - 3.8  
Typ. Max.  
Frequency Range  
GHz  
dB  
Gain  
17  
0.011  
1.4  
-3  
-2  
16  
19  
0.011  
1.2  
23  
-3  
-2  
Gain Variation Over Temperature  
Noise Figure  
0.002  
0.002  
dB / °C  
dB  
1.8  
1.6  
Input Return Loss  
23  
30  
25  
30  
25  
dB  
Output Return Loss  
Reverse Isolation  
12  
13  
dB  
39  
36  
dB  
Power for 1dB Compression (P1dB)*  
Saturated Output Power (Psat)  
10  
13  
30  
13  
16  
30  
dBm  
dBm  
13.5  
17  
Third Order Intercept (IP3)*  
(-20 dBm Input Power per tone,  
1 MHz tone spacing)  
22  
29  
dBm  
Supply Current (Idd)  
20  
25  
0.01  
343  
40  
50  
0.01  
343  
mA  
ns  
LNA Mode to Bypass Mode  
Switching  
428  
428  
Speed  
Bypass Mode to LNA Mode  
ns  
* P1dB and IP3 for LNA Mode are referenced to RFOUT while P1dB for Bypass Mode is referenced to RFIN.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
8 - 190  
12345678

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