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HMC591LP5ETR

更新时间： 2024-11-27 13:08:23

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器高功率电源
页数	文件大小	规格书
8页	268K
描述
Wide Band High Power Amplifier, 1 Func, GAAS,

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HMC591LP5ETR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LCC32,.2SQ,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20
电源：	7 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	Base Number Matches：	1

HMC591LP5ETR 数据手册

HMC591LP5 / 591LP5E

v02.0107

GaAs PHEMT MMIC 2 WATT

POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz

Typical Applications

Features

The HMC591LP5 / HMC591LP5E is ideal for use as a

power ampliﬁer for:

Saturated Output Power: +33 dBm @ 20% PAE

Output IP3: +41 dBm

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• Test Equipment & Sensors

• Military End-Use

Gain: 18 dB

DC Supply: +7.V @ 1340 mA

50 Ohm Matched Input/Output

QFN Leadless SMT Packages, 25 mm²

• Space

Functional Diagram

General Description

The HMC591LP5 & HMC591LP5E are high dynamic

range GaAs PHEMT MMIC 2 Watt Power Ampliﬁers

which operate from 6 to 9.5 GHz. The ampliﬁer

provides 18 dB of gain, +33 dBm of saturated power,

and 19% PAE from a +7V supply. This 50 Ohm mat-

ched ampliﬁer does not require any external

components and the RF I/Os are DC blocked for

robust operation. For applications which require

optimum OIP3, Idd should be set for 940 mA, to

yield +41 dBm OIP3. For applications which require

optimum output P1dB, Idd should be set for 1340 mA,

to yield +33 dBm Output P1dB.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd = +7V, Idd = 1340 mA^[1]

Parameter

Min.

Typ.

6 - 8

Max.

Min.

Typ.

6 - 9.5

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.05

dB/ °C

Output Return Loss

Output Power for 1 dB

Compression (P1dB)

dBm

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)^[2]

Supply Current (Idd)

32.5

dBm

1340

[1] Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd= 1340 mA typical.

[2] Measurement taken at 7V @ 940mA, Pin/Tone = -15 dBm

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

11 - 302

12 3 4 5 6 7 8

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HMC591LP5ETR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC591LP5E	HITTITE	类似代替	GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz

与HMC591LP5ETR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC591LP5TR	HITTITE	获取价格	Wide Band High Power Amplifier, 1 Func, GAAS,
HMC592	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 10.0 - 13.0 GHz
HMC592_09	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 10 - 13 GHz
HMC593LP3	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER w/ BYPASS MODE, 3.3 - 3.8 GHz
HMC593LP3_09	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER w/ BYPASS MODE, 3.3 - 3.8 GHz
HMC593LP3E	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER w/ BYPASS MODE, 3.3 - 3.8 GHz
HMC593LP3ERTR	ADI	获取价格	Amplifier
HMC593LP3ETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier,
HMC593LP3RTR	ADI	获取价格	HMC593LP3RTR
HMC593LP3TR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier,

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