HMC590LP5

更新时间： 2024-11-26 04:16:31

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
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8页	373K
描述
GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz

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HMC590LP5 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18 dB	最大输入功率 (CW)：	12 dBm
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最大工作频率：	9500 MHz	最小工作频率：	6000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20
电源：	7 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

HMC590LP5 数据手册

HMC590LP5 / 590LP5E

v01.0107

GaAs PHEMT MMIC 1 WATT

POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz

Typical Applications

The HMC590LP5 / HMC590LP5E is ideal for use as a

power ampliﬁer for:

Features

Saturated Output Power: +31.5 dBm @ 23% PAE

Output IP3: +40 dBm

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• Test Equipment & Sensors

• Military End-Use

Gain: 21 dB

DC Supply: +7.0 V @ 820 mA

50 Ohm Matched Input/Output

QFN Leadless SMT Packages, 25 mm²

• Space

Functional Diagram

General Description

The HMC590LP5 & HMC590LP5E are high dynamic

range GaAs PHEMT MMIC 1 Watt Power Ampliﬁers

whichoperate from6to9.5GHz.Theampliﬁerprovides

21 dB of gain, +31 dBm of saturated power, and 23%

PAE from a +7.0V supply. This 50 Ohm matched

ampliﬁer does not require any external components

and the RF I/Os are DC blocked for robust operation.

For applications which require optimum OIP3, Idd

should be set for 520 mA, to yield +40 dBm OIP3. For

applications which require optimum output P1dB, Idd

should be set for 820 mA, to yield +30 dBm Output

P1dB.

Electrical Specifications, T_A= +25° C, Vdd = +7V, Idd = 820 mA^[1]

Parameter

Min.

Typ.

6 - 8

Max.

Min.

Typ.

6 - 9.5

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.05

dB/ °C

Output Return Loss

Output Power for 1 dB

Compression (P1dB)

27.5

30.5

dBm

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)^[2]

Supply Current (Idd)

30.5

dBm

820

[1] Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd= 820 mA typical.

[2] Measurement taken at 7V @ 520mA, Pin/Tone = -15 dBm

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

5 - 590

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC590LP5_09	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz
HMC590LP5E	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz
HMC590LP5ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,
HMC590LP5TR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,
HMC591	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 10.0 GHz
HMC591_09	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 6 - 10 GHz
HMC591-Die	ADI	获取价格	2 W功率放大器芯片，6 - 10 GHz
HMC591LP5	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz
HMC591LP5	ADI	获取价格	2 W功率放大器，采用SMT封装，6.0 - 9.5 GHz
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