是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSSOP8,.19 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
最大变频损耗: | 11 dB | 最大输入功率 (CW): | 27 dBm |
JESD-609代码: | e0 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
端子数量: | 8 | 最大工作频率: | 750 MHz |
最小工作频率: | 300 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | TSSOP8,.19 | 电源: | 5 V |
射频/微波设备类型: | SINGLE BALANCED | 子类别: | RF/Microwave Mixers |
表面贴装: | YES | 技术: | GAAS |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC585MS8G_08 | HITTITE |
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HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz | |
HMC585MS8GE | HITTITE |
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HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER with INTEGRATED LO AMPLIFIER, 400 - 650 MHz | |
HMC586 | ADI |
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采用SMT封装的宽带VCO,带有缓冲放大器,4 - 8 GHz | |
HMC586LC4B | HITTITE |
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WIDEBAND MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 4.0 - 8.0 GHz | |
HMC586LC4B | ADI |
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Wideband VCO SMT w/Buffer Amplifier, 4 - 8 GHz | |
HMC586LC4B_10 | HITTITE |
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WIDEBAND MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 4 - 8 GHz | |
HMC586LC4BRTR | HITTITE |
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Oscillator, | |
HMC586LC4BTR | ADI |
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Wideband VCO SMT w/Buffer Amplifier, 4 - 8 GHz | |
HMC587 | ADI |
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采用SMT封装的宽带VCO,带有缓冲放大器,5 - 10 GHz | |
HMC5879LS7 | ADI |
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GaAs pHEMT MMIC 4 Watt Power Amplifier, 12 - 16 GHz |