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HMC584LP5TR

更新时间： 2024-11-26 19:46:15

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		振荡器
页数	文件大小	规格书
6页	460K
描述
Voltage Controlled Oscillator, 12500MHz Min, 13900MHz Max, PLASTIC, LEADLESS, QFN-32

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HMC584LP5TR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	其他特性：	TAPE AND REEL
最大控制电压：	12 V	最小控制电压：	2 V
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
偏移频率：	100 kHz	最大工作频率：	13900 MHz
最小工作频率：	12500 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	振荡器类型：	VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
输出功率：	7 dBm	相位噪声：	-110 dBc/Hz
物理尺寸：	5.1mm x 5.1mm x 1.0mm	最大压摆率：	380 mA
最大供电电压：	5.25 V	最小供电电压：	4.75 V
标称供电电压：	5 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

HMC584LP5TR 数据手册

HMC584LP5 / 584LP5E

v03.1210

MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT

& DIVIDE-BY-4, 12.5 - 13.9 GHz

Typical Applications

Features

Low noise MMIC VCO w/Half Frequency, Divide-by-4

Outputs for:

Dual Output: Fo = 12.5 - 13.9 GHz

Fo/2 = 6.25 - 6.95 GHz

• Point to Point/Multipoint Radio

• Test Equipment & Industrial Controls

• SATCOM

Pout: +10 dBm

Phase Noise: -110 dBc/Hz @100 kHz Typ.

No External Resonator Needed

32 Lead 5x5mm SMT Package: 25mm²

• Military End-Use

Functional Diagram

General Description

The HMC584LP5 & HMC584LP5E are GaAs InGaP

Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCOs.

The HMC584LP5 & HMC584LP5E integrate resona-

tors, negative resistance devices, varactor diodes

and feature half frequency and divide-by-4 outputs.

The VCO’s phase noise performance is excellent over

temperature, shock, and process due to the oscillator’s

monolithic structure. Power output is +10 dBm typical

from a +5V supply voltage. The prescaler and RF/2

functions can be disabled to conserve current if not

required. The voltage controlled oscillator is packaged

in a leadless QFN 5x5 mm surface mount package,

and requires no external matching components.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

Fo/2

12.5 - 13.9

6.25 - 6.95

GHz

Frequency Range

Power Output

RFOUT

RFOUT/2

RFOUT/4

-9

+14

-3

dBm

SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset,

Vtune= +5V @ RFOUT

-110

dBc/Hz

Tune Voltage

Vtune

380

Supply Current

Icc(Dig) + Icc(Amp) + Icc(RF)

290

330

µA

Tune Port Leakage Current (Vtune= 12V)

Output Return Loss

Harmonics/Subharmonics

1/2

3/2

2nd

3rd

dBc

Pulling (into a 2.0:1 VSWR)

Pushing @ Vtune= 5V

Frequency Drift Rate

MHz pp

MHz/V

MHz/°C

1.5

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

8 - 1

12 3 4 5 6

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