HMC582LP5

更新时间： 2024-11-23 04:22:03

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HITTITE		振荡器压控振荡器输出元件
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8页	322K
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MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT & DIVIDE-BY-4, 11.1 - 12.4 GHz

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HMC582LP5 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.11.B	风险等级：	5
Is Samacsys：	N	最大控制电压：	12 V
最小控制电压：	2 V	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	偏移频率：	100 kHz
最大工作频率：	12400 MHz	最小工作频率：	11100 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
振荡器类型：	VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR	输出功率：	5 dBm
相位噪声：	-110 dBc/Hz	物理尺寸：	5.1mm x 5.1mm x 1.0mm
最大压摆率：	390 mA	最大供电电压：	5.25 V
最小供电电压：	4.75 V	标称供电电压：	5 V
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

HMC582LP5 数据手册

HMC582LP5 / 582LP5E

v00.0407

MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT

& DIVIDE-BY-4, 11.1 - 12.4 GHz

Typical Applications

Features

Low noise MMIC VCO w/Half Frequency, Divide-by-4

Outputs for:

Triple Output: Fo = 11.1 - 12.4 GHz

Fo/2 = 5.55 - 6.2 GHz

Fo/4 = 2.78 - 3.1 GHz

• Point to Point/Multipoint Radio

• Test Equipment & Industrial Controls

• SATCOM

Pout: +9 dBm

Phase Noise: -110 dBc/Hz @100 kHz Typ.

No External Resonator Needed

QFN Leadless SMT Package, 25 mm²

• Military End-Use

Functional Diagram

General Description

The HMC582LP5 & HMC582LP5E are GaAs InGaP

Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCOs.

The HMC582LP5 & HMC582LP5E integrate resona-

tors, negative resistance devices, varactor diodes

and feature half frequency and divide-by-4 outputs.

The VCO’s phase noise performance is excellent over

temperature, shock, and process due to the oscillator’s

monolithic structure. Power output is +9 dBm typical

from a +5V supply voltage. The prescaler and RF/2

functions can be disabled to conserve current if not

required. The voltage controlled oscillator is packaged

in a leadless QFN 5x5 mm surface mount package,

and requires no external matching components.

Electrical Specifications, T_A= +25° C, Vcc (Dig), Vcc (Amp), Vcc (RF) = +5V

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

Fo/2

11.1 - 12.4

5.55 - 6.2

GHz

Frequency Range

Power Output

RFOUT

RFOUT/2

RFOUT/4

-9

+12

+14

-3

dBm

SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset,

Vtune= +5V @ RFOUT

-110

dBc/Hz

Tune Voltage

Vtune

390

Supply Current

Icc(Dig) + Icc(Amp) + Icc(RF)

290

350

μA

Tune Port Leakage Current (Vtune= 13V)

Output Return Loss

Harmonics/Subharmonics

1/2

2nd

3rd

dBc

Pulling (into a 2.0:1 VSWR)

Pushing @ Vtune= 5V

Frequency Drift Rate

MHz pp

MHz/V

MHz/°C

1.2

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

10 - 228

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC582LP5_11	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT & DIVIDE-BY-4, 11.1 - 12.4 GHz
HMC582LP5E	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT & DIVIDE-BY-4, 11.1 - 12.4 GHz
HMC582LP5E	ADI	获取价格	VCO with Fo/2 & Divide-by-4 SMT, 11.1-12.4 GHz
HMC582LP5ETR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC582LP5TR	HITTITE	获取价格	Voltage Controlled Oscillator, 11100MHz Min, 12400MHz Max, PLASTIC, LEADLESS, QFN-32
HMC582LP5TR	ADI	获取价格	VCO with Fo/2 & Divide-by-4 SMT, 11.1-12.4 GHz
HMC583	ADI	获取价格	采用SMT封装的VCO，具有Fo/2，提供4分频，11.5 - 12.8 GHz
HMC583LP5	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT & DIVIDE-BY-4, 11.5 - 12.8 GHz
HMC583LP5E	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT & DIVIDE-BY-4, 11.5 - 12.8 GHz
HMC583LP5ERTR	HITTITE	获取价格	IC,VOLTAGE-CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR,1-CHANNEL,11.5GHZ-12.8GHZ,LLCC,32PIN,PLASTIC

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