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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC580ST89E
HMC580ST89E PDF预览

HMC580ST89E

更新时间： 2024-11-23 04:22:03
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
6页 273K
描述
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz

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HMC580ST89E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：TO-243
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.44Is Samacsys：N
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：15 dB最大输入功率 (CW)：10 dBm
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：3
最大工作频率：1000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：TO-243
电源：5 V射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：110 mA
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HMC580ST89E 数据手册

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HMC580ST89 / 580ST89E  
v00.1106  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz  
5
Typical Applications  
The HMC580ST89 / HMC580ST89E is an ideal RF/IF  
gain block & LO or PA driver:  
Features  
P1dB Output Power: +22 dBm  
Gain: 22 dB  
• Cellular / PCS / 3G  
Output IP3: +37 dBm  
Cascadable 50 Ohm I/Os  
Single Supply: +5V  
• Fixed Wireless & WLAN  
• CATV, Cable Modem & DBS  
• Microwave Radio & Test Equipment  
• IF & RF Applications  
Industry Standard SOT89 Package  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC580ST89 & HMC580ST89E are InGaP  
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Gain  
Block MMIC SMT amplifiers covering DC to 1 GHz.  
Packaged in an industry standard SOT89, the  
amplifier can be used as a cascadable 50 Ohm RF  
or IF gain stage as well as a PA or LO driver with  
up to +26 dBm output power. The HMC580ST89(E)  
offers 22 dB of gain with a +37 dBm output IP3 at 250  
MHz, and can operate directly from a +5V supply. The  
HMC580ST89(E) exhibits excellent gain and output  
power stability over temperature, while requiring a  
minimal number of external bias components.  
Electrical Specifications, Vs= 5.0 V, Rbias= 1.8 Ohm, TA = +25° C  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
19  
18.5  
15  
22  
21  
17  
dB  
dB  
dB  
Gain  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
DC - 1.0 GHz  
0.005  
dB/ °C  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
35  
28  
19  
dB  
dB  
dB  
DC - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
12  
11  
dB  
dB  
Output Return Loss  
Reverse Isolation  
DC - 1.0 GHz  
23  
dB  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
19  
17.5  
16  
22  
20.5  
19  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
DC - 0.25 GHz  
0.25 - 0.50 GHz  
0.50 - 1.00 GHz  
37  
35  
33  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Third Order Intercept (IP3)  
(Pout= 0 dBm per tone, 1 MHz spacing)  
Noise Figure  
DC - 1.0 GHz  
2.8  
88  
dB  
Supply Current (Icq)  
mA  
Note: Data taken with broadband bias tee on device output.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 572  
123456

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HMC580ST89E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HMC580ST89ETR HITTITE

完全替代

 Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 1000MHz Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-89, SMT

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