Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC580ST89

HMC580ST89

更新时间： 2024-11-26 04:22:03

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		放大器
页数	文件大小	规格书
6页	273K
描述
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HMC580ST89 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-243
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	15 dB
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	3	最大工作频率：	1000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TO-243	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	110 mA	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)

HMC580ST89 数据手册

HMC580ST89 / 580ST89E

v00.1106

InGaP HBT GAIN BLOCK

MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz

Typical Applications

The HMC580ST89 / HMC580ST89E is an ideal RF/IF

gain block & LO or PA driver:

Features

P1dB Output Power: +22 dBm

Gain: 22 dB

• Cellular / PCS / 3G

Output IP3: +37 dBm

Cascadable 50 Ohm I/Os

Single Supply: +5V

• Fixed Wireless & WLAN

• CATV, Cable Modem & DBS

• Microwave Radio & Test Equipment

• IF & RF Applications

Industry Standard SOT89 Package

Functional Diagram

General Description

The HMC580ST89 & HMC580ST89E are InGaP

Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Gain

Block MMIC SMT ampliﬁers covering DC to 1 GHz.

Packaged in an industry standard SOT89, the

ampliﬁer can be used as a cascadable 50 Ohm RF

or IF gain stage as well as a PA or LO driver with

up to +26 dBm output power. The HMC580ST89(E)

offers 22 dB of gain with a +37 dBm output IP3 at 250

MHz, and can operate directly from a +5V supply. The

HMC580ST89(E) exhibits excellent gain and output

power stability over temperature, while requiring a

minimal number of external bias components.

Electrical Specifications, Vs= 5.0 V, Rbias= 1.8 Ohm, T_A= +25° C

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

DC - 0.25 GHz

0.25 - 0.50 GHz

0.50 - 1.00 GHz

18.5

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

DC - 1.0 GHz

0.005

dB/ °C

DC - 0.25 GHz

0.25 - 0.50 GHz

0.50 - 1.00 GHz

DC - 0.50 GHz

0.50 - 1.00 GHz

Output Return Loss

Reverse Isolation

DC - 1.0 GHz

DC - 0.25 GHz

0.25 - 0.50 GHz

0.50 - 1.00 GHz

17.5

20.5

dBm

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

DC - 0.25 GHz

0.25 - 0.50 GHz

0.50 - 1.00 GHz

dBm

Output Third Order Intercept (IP3)

(Pout= 0 dBm per tone, 1 MHz spacing)

Noise Figure

DC - 1.0 GHz

2.8

Supply Current (Icq)

Note: Data taken with broadband bias tee on device output.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

5 - 572

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与HMC580ST89相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC580ST89_10	HITTITE	获取价格	InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 1 GHz
HMC580ST89E	HITTITE	获取价格	InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 1.0 GHz
HMC580ST89ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 1000MHz Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOT-89, SMT
HMC580ST89TR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier,
HMC581LP6	HITTITE	获取价格	HIGH IP3 RFIC DUAL DOWNCONVERTER, 800 - 960 MHz
HMC581LP6_09	HITTITE	获取价格	HIGH IP3 RFIC DUAL DOWNCONVERTER, 800 - 960 MHz
HMC581LP6E	HITTITE	获取价格	HIGH IP3 RFIC DUAL DOWNCONVERTER, 800 - 960 MHz
HMC582	ADI	获取价格	采用SMT封装的VCO，具有Fo/2，提供4分频，11.1 -12.4 GHz
HMC582LP5	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT & DIVIDE-BY-4, 11.1 - 12.4 GHz
HMC582LP5	ADI	获取价格	VCO with Fo/2 & Divide-by-4 SMT, 11.1-12.4 GHz

与HMC580ST89相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC580ST89

HMC580ST89 技术参数

HMC580ST89 数据手册

与HMC580ST89相关器件

与HMC580ST89相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC580ST89

HMC580ST89 技术参数

HMC580ST89 数据手册

与HMC580ST89相关器件

与HMC580ST89相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？