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HMC562

更新时间： 2024-11-09 04:22:03
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器驱动
页数 文件大小 规格书
8页 362K
描述
GaAs PHEMT MMIC WIDEBAND DRIVER AMPLIFIER, 2 - 35 GHz

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HMC562 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.B.2.D
风险等级：5.69Is Samacsys：N
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：7 dB最大输入功率 (CW)：23 dBm
功能数量：1最大工作频率：35000 MHz
最小工作频率：2000 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-55 °C封装等效代码：DIE OR CHIP
电源：8 V射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers技术：GAAS
Base Number Matches：1

HMC562 数据手册

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HMC562  
v01.0406  
GaAs PHEMT MMIC WIDEBAND  
DRIVER AMPLIFIER, 2 - 35 GHz  
1
Typical Applications  
Features  
The HMC562 wideband driver is ideal for:  
• Military & Space  
P1dB Output Power: +12 dBm  
Gain: 12.5 dB  
• Test Instrumentation  
• Fiber Optics  
Output IP3: +19 dBm  
Supply Voltage: +8V @ 80 mA  
50 Ohm Matched Input/Output  
3.12 mm x 1.42 mm x 0.1 mm  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC562 is a GaAs MMIC PHEMT Distributed  
Driver Amplifier die which operates between 2 and  
35 GHz. The amplifier provides 12.5 dB of gain,  
+19 dBm output IP3 and +12 dBm of output power  
at 1 dB gain compression while requiring 80 mA  
from a +8V supply. The HMC562 is ideal for EW,  
ECM and radar driver amplifier applications. The  
HMC562 amplifier I/O’s are DC blocked and internally  
matched to 50 Ohms facilitating integration into Multi-  
Chip-Modules (MCMs). All data is taken with the chip  
connected via two 0.075mm (3 mil) ribbon bonds of  
minimal length 0.31mm (12 mils).  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd= +8V, Idd= 80 mA*  
Parameter  
Frequency Range  
Min.  
Typ.  
2.0 - 15.0  
12.5  
0.4  
Max.  
Min.  
Typ.  
15.0 - 27.0  
12  
Max.  
Min.  
7
Typ.  
Max.  
0.03  
Units  
GHz  
dB  
27.0 - 35.0  
Gain  
9.5  
8.5  
10  
1.3  
0.02  
10  
Gain Flatness  
0.35  
0.01  
13  
dB  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
0.01  
14  
0.02  
0.02  
dB/ °C  
dB  
Output Return Loss  
16  
15  
12  
dB  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Saturated Output Power (Psat)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
Noise Figure  
15  
18  
14  
17  
10  
14  
dBm  
dBm  
dBm  
dB  
21.5  
27  
20  
16  
24  
22  
5
3
3.5  
Supply Current  
(Idd) (Vdd= 8V, Vgg = -0.8V Typ.)  
80  
80  
80  
mA  
* Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd= 80 mA typical.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
1 - 188  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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