HMC561LP3

更新时间： 2024-11-07 04:22:03

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器输出元件倍频器
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描述
SMT GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 8 - 21 GHz OUTPUT

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HMC561LP3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC16,.12SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	16
最大工作频率：	21000 MHz	最小工作频率：	8000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Frequency Multipliers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

HMC561LP3 数据手册

HMC561LP3 / 561LP3E

v00.1206

SMT GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY

MULTIPLIER, 8 - 21 GHz OUTPUT

Typical Applications

Features

The HMC561LP3 / HMC561LP3E are suitable for:

High Output Power: +14 dBm

• Clock Generation Applications:

SONET OC-192 & SDH STM-64

Low Input Power Drive: 0 to +6 dBm

Fo Isolation: 15 dBc @ Fout= 16 GHz

100 KHz SSB Phase Noise: -139 dBc/Hz

RoHS Compliant 3x3 mm SMT Package

• Point-to-Point & VSAT Radios

• Test Instrumentation

• Military & Space

Functional Diagram

General Description

The HMC561LP3 & HMC561LP3E are x2 active

broadband frequency multipliers utilizing GaAs

PHEMT technology in a leadless RoHS compliant

SMT package. When driven by a +5 dBm signal, the

multiplier provides +14 dBm typical output power from

8 to 21 GHz and the Fo and 3Fo isolations are 15 dBc

at 16 GHz. The HMC561LP3(E) is ideal for use in LO

multiplier chains for Pt to Pt & VSAT Radios yielding

reduced parts count vs. traditional approaches. The

low additive SSB Phase Noise of -139 dBc/Hz at

100 kHz offset helps maintain good system noise

performance. The RoHS packaged HMC561LP3(E)

eliminates the need for wire bonding, and allows the

use of surface mount manufacturing techniques.

Electrical Specifications, T_A= +25°C, Vdd = +5V, 5 dBm Drive Level

Parameter

Min.

Typ.

4 - 10.5

8 - 21

Max.

Units

GHz

dBm

dBc

Frequency Range, Input

Frequency Range, Output

Output Power

Fo Isolation (with respect to output level)

3Fo Isolation (with respect to output level)

4Fo Isolation (with respect to output level)

Input Return Loss

dBc

Output Return Loss

SSB Phase Noise (100 kHz Offset)

Supply Current (Idd) (Vdd = 5V, Vgg = -1.7V Typ.)

*Adjust Vgg between -2.0 and -1.2V to achieve Idd = 98 mA

-139

dBc/Hz

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

7 - 82

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC561LP3_08	HITTITE	获取价格	SMT GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 8 - 21 GHz OUTPUT
HMC561LP3E	HITTITE	获取价格	SMT GaAs MMIC x2 ACTIVE FREQUENCY MULTIPLIER, 8 - 21 GHz OUTPUT
HMC561LP3ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier,
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