HMC531LP5E

更新时间： 2024-10-28 04:16:31

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		振荡器压控振荡器输出元件
页数	文件大小	规格书
8页	379K
描述
MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT & DIVIDE-BY-4, 13.6 - 14.9 GHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HMC531LP5E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.11.B	风险等级：	7.3
Is Samacsys：	N	最大控制电压：	13 V
最小控制电压：	2 V	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	偏移频率：	100 kHz
最大工作频率：	14900 MHz	最小工作频率：	13600 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
振荡器类型：	VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR	输出功率：	3 dBm
相位噪声：	-110 dBc/Hz	物理尺寸：	5.1mm x 5.1mm x 1.0mm
最大压摆率：	300 mA	最大供电电压：	5.25 V
最小供电电压：	4.75 V	标称供电电压：	5 V
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

HMC531LP5E 数据手册

HMC531LP5 / 531LP5E

v00.1105

MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT

& DIVIDE-BY-4, 13.6 - 14.9 GHz

Typical Applications

Features

Low noise MMIC VCO w/Half Frequency, Divide-by-4

Outputs for:

Dual Output: Fo = 13.6 - 14.9 GHz

Fo/2 = 6.8 - 7.45 GHz

• VSAT Radio

Pout: +7 dBm

• Point to Point/Multipoint Radio

• Test Equipment & Industrial Controls

• Military End-Use

Phase Noise: -110 dBc/Hz @100 kHz Typ.

No External Resonator Needed

QFN Leadless SMT Package, 25 mm²

Functional Diagram

General Description

The HMC531LP5 & HMC531LP5E are GaAs InGaP

Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCOs.

The HMC531LP5 & HMC531LP5E integrate resona-

tors, negative resistance devices, varactor diodes

and feature half frequency and divide-by-4 outputs.

The VCO’s phase noise performance is excellent over

temperature, shock, and process due to the oscillator’s

monolithic structure. Power output is +7 dBm typical

from a +5V supply voltage. The prescaler function can

be disabled to conserve current if not required. The

voltage controlled oscillator is packaged in a leadless

QFN 5x5 mm surface mount package, and requires no

external matching components.

Electrical Specifications, T_A= +25° C, Vcc1, Vcc2 = +5V

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

Fo/2

13.6 - 14.9

6.8 - 7.45

GHz

Frequency Range

RFOUT

RFOUT/2

RFOUT/4

-9

+10

+14

-3

dBm

Power Output

SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset, Vtune= +5V @ RFOUT

Tune Voltage

-110

260

dBc/Hz

Vtune

300

Supply Current

Icc1 & Icc2

220

μA

Tune Port Leakage Current (Vtune= 13V)

Output Return Loss

Harmonics/Subharmonics

1/2

3/2

2nd

3rd

dBc

Pulling (into a 2.0:1 VSWR)

Pushing @ Vtune= 5V

Frequency Drift Rate

MHz pp

MHz/V

MHz/°C

1.2

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

9 - 140

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与HMC531LP5E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC531LP5ERTR	HITTITE	获取价格	Oscillator,
HMC531LP5RTR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC531LP5TR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC532	ADI	获取价格	采用SMT封装的VCO，带有缓冲放大器，7.1 - 7.9 GHz
HMC532LP4	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 7.1 - 7.9 GHz
HMC532LP4	ADI	获取价格	7100MHz - 7900MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, 4 X 4 MM, LEADLESS, PLASTIC,
HMC532LP4_09	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 7.1 - 7.9 GHz
HMC532LP4E	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 7.1 - 7.9 GHz
HMC532LP4ERTR	ADI	获取价格	HMC532LP4ERTR
HMC532LP4ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier,

与HMC531LP5E相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

12
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC531LP5E

HMC531LP5E 技术参数

HMC531LP5E 数据手册

与HMC531LP5E相关器件

与HMC531LP5E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC531LP5E

HMC531LP5E 技术参数

HMC531LP5E 数据手册

与HMC531LP5E相关器件

与HMC531LP5E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？