是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | DIE OR CHIP |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.B.2.D |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 增益: | 11 dB |
最大输入功率 (CW): | 8 dBm | JESD-609代码: | e4 |
功能数量: | 1 | 最大工作频率: | 32000 MHz |
最小工作频率: | 18000 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装等效代码: | DIE OR CHIP |
电源: | 3 V | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率: | 65 mA |
技术: | GAAS | 端子面层: | Gold (Au) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HMC519_09 | HITTITE | GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 18 - 32 GHz |
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HMC519-Die | ADI | GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片,18 - 32 GHz |
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HMC519LC4 | HITTITE | GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 18 - 31 GHz |
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HMC519LC4 | ADI | HMC519LC4 |
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HMC519LC4TR | HITTITE | 暂无描述 |
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HMC519LC4TR | ADI | HMC519LC4TR |
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