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HMC506LP4E

更新时间： 2024-11-09 12:20:31

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		缓冲放大器射频微波 PC
页数	文件大小	规格书
6页	229K
描述
MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 7.8 - 8.7 GHz

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HMC506LP4E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	JESD-609代码：	e3
最大工作频率：	8700 MHz	最小工作频率：	7800 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
射频/微波设备类型：	NARROW BAND LOW POWER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：	2	Base Number Matches：	1

HMC506LP4E 数据手册

HMC506LP4 / 506LP4E

v01.0805

MMIC VCO w/ BUFFER

AMPLIFIER, 7.8 - 8.7 GHz

Typical Applications

Features

Low noise MMIC VCO w/Buffer Ampliﬁer for:

Pout: +14 dBm

• VSAT Radio

Phase Noise: -103 dBc/Hz @100 KHz

No External Resonator Needed

Single Supply: +3V @ 77 mA

QFN Leadless SMT Package, 16 mm²

• Point to Point/Multipoint Radio

• Test Equipment & Industrial Controls

• Military End-Use

Functional Diagram

General Description

The HMC506LP4 & HMC506LP4E are GaAs InGaP

Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCOs

with integrated resonators, negative resistance

devices, varactor diodes, and buffer ampliﬁers.

Covering 7.8 to 8.7 GHz, the VCO’s phase noise

performance is excellent over temperature, shock

and vibration due to the oscillator’s monolithic struc-

ture. Power output is +14 dBm typical from a single

supply of +3.0V @ 77 mA. The voltage controlled

oscillator is packaged in a leadless QFN 4 x 4 mm

surface mount package.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vcc = +3V

Parameter

Frequency Range

Min.

11.0

Typ.

7.8 - 8.7

14.0

Max.

Units

GHz

dBm

dBc/Hz

Power Output

SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset, Vtune= +5V @ RF Output

Tune Voltage (Vtune)

-103

Supply Current (Icc) (Vcc = +3.0V)

Tune Port Leakage Current

μA

Output Return Loss

Harmonics

2nd

3rd

-16

-28

dBc

Pulling (into a 2.0:1 VSWR)

Pushing @ Vtune= +5V

Frequency Drift Rate

MHz pp

MHz/V

MHz/°C

0.85

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

11 - 102

12 3 4 5 6

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HMC506LP4E 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC506LP4ETR	HITTITE	完全替代	Narrow Band Low Power Amplifier,

与HMC506LP4E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC506LP4ETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier,
HMC506LP4TR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier,
HMC507	ADI	获取价格	采用SMT封装的VCO，具有Fo/2，6.65 - 7.65 GHz
HMC507LP5	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT 6.65 - 7.65 GHz
HMC507LP5	ADI	获取价格	VCO SMT with Fo/2, 6.65 - 7.65 GHz
HMC507LP5_11	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT 6.65 - 7.65 GHz
HMC507LP5E	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ HALF FREQUENCY OUTPUT 6.65 - 7.65 GHz
HMC507LP5E	ADI	获取价格	VCO SMT with Fo/2, 6.65 - 7.65 GHz
HMC507LP5ERTR	ADI	获取价格	IC,OSCILLATOR/DIVIDER,1-CHANNEL,6.65GHZ-7.65GHZ,BIPOLAR,LLCC,32PIN,PLASTIC
HMC507LP5ETR	ADI	获取价格	VCO SMT with Fo/2, 6.65 - 7.65 GHz

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