Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC505LP4E

HMC505LP4E

更新时间： 2024-11-08 21:54:51

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		缓冲放大器射频微波
页数	文件大小	规格书
6页	337K
描述
MMIC VCO wl BUFFER AMPLIFIER, 6.8 - 7.4 GHz

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HMC505LP4E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC24,.16SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.46	其他特性：	LOW NOISE
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	24
最大工作频率：	7400 MHz	最小工作频率：	6800 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC24,.16SQ,20
电源：	3 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	端子面层：	Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：	2	Base Number Matches：	1

HMC505LP4E 数据手册

HMC505LP4 / 505LP4E

v01.0805

MMIC VCO w/ BUFFER

AMPLIFIER, 6.8 - 7.4 GHz

Typical Applications

Features

Low noise MMIC VCO w/Buffer Ampliﬁer for:

• VSAT & Microwave Radio

• Test Equipment & Industrial Controls

• Military

Pout: +11dBm

Phase Noise: -106 dBc/Hz @100 kHz

No External Resonator Needed

Single Supply: +3V @ 80 mA

QFN Leadless SMT Package, 16mm2

Functional Diagram

General Description

The HMC505LP4 & HMC505LP4E are GaAs InGaP

Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC VCOs

withintegratedresonators, negativeresistancedevices,

varactor diodes, and buffer ampliﬁers. Covering 6.8

to 7.4 GHz, the VCO’s phase noise performance is

excellent over temperature, shock and vibration due

to the oscillator’s monolithic structure. Power output

is +11 dBm typical from a single supply of +3V @ 80

mA. The voltage controlled oscillator is packaged in a

leadless QFN 4x4 mm surface mount package.

Electrical Specifications, T_A= +25° C, Vcc = +3V

Parameter

Min.

Typ.

6.8 - 7.4

Max.

Units

GHz

dBm

dBc/Hz

Frequency Range

Power Output

SSB Phase Noise @ 100 kHz Offset, Vtune= +5V @ RF Output

Tune Voltage (Vtune)

-106

Supply Current (Icc) (Vcc = +3.0V)

Tune Port Leakage Current

μA

Output Return Loss

Harmonics

2nd

3rd

-19

-28

dBc

Pulling (into a 2.0:1 VSWR)

Pushing @ Vtune= +5V

Frequency Drift Rate

MHz pp

MHz/V

MHz/°C

0.8

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

15 - 96

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC505LP4ETR	HITTITE	完全替代	Narrow Band Low Power Amplifier, 1 Func, BIPolar,

与HMC505LP4E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC505LP4ERTR	HITTITE	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 1 Func, BIPolar,
HMC505LP4ETR	ADI	获取价格	VCO SMT w/Buffer Amplifier, 6.8 - 7.4 GHz
HMC505LP4ETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier, 1 Func, BIPolar,
HMC505LP4RTR	HITTITE	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 1 Func, BIPolar,
HMC505LP4TR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier, 1 Func, BIPolar,
HMC506	ADI	获取价格	采用SMT封装的VCO，带有缓冲放大器，7.8 - 8.7 GHz
HMC506LP4	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 7.8 - 8.7 GHz
HMC506LP4_08	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 7.8 - 8.7 GHz
HMC506LP4E	HITTITE	获取价格	MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 7.8 - 8.7 GHz
HMC506LP4ETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Low Power Amplifier,

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