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HMC495LP3ETR

更新时间： 2024-09-25 19:09:23
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 电信电信集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 422K
描述
RF and Baseband Circuit, PQCC16, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, QFN-16

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HMC495LP3ETR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：HVQCCN,Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.81
JESD-30 代码：S-PQCC-N16长度：3 mm
功能数量：1端子数量：16
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：1 mm
标称供电电压：3.3 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：RF AND BASEBAND CIRCUIT温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3 mmBase Number Matches：1

HMC495LP3ETR 数据手册

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HMC495LP3 / 495LP3E  
v02.0705  
SiGe WIDEBAND DIRECT  
MODULATOR RFIC, 250 - 3800 MHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC495LP3 / HMC495LP3E is suitable for  
various modulation systems:  
Wideband RF Frequency Range  
High Carrier Suppression: 38 dBc  
Very Low Noise Floor: -158 dBm/Hz  
Low LO Power: -6 to +6 dBm  
• UMTS, GSM or CDMA Basestations  
• Fixed Wireless or WLL  
• ISM Transceivers, 900 & 2400 MHz  
• GMSK, QPSK, QAM, SSB Modulators  
Differential or Single Ended LO Input  
Single Low Current Supply: +3.3V@ 108 mA  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC495LP3 & HMC495LP3E are low noise  
Wideband Direct Quadrature Modulator RFICs which  
are ideal for digital modulation applications from 250 -  
3800 MHz including; Cellular/3G, Broadband Wireless  
Access & ISM circuits. Housed in a compact 3x3 mm  
(LP3) SMT QFN package, the RFIC requires minimal  
external components & provides a low cost alternative  
to more complicated double upconversion architec-  
tures. The RF output port is single-ended and matched  
to 50 Ohms with no external components. The LO re-  
quires -6 to +6 dBm and can be driven in either dif-  
ferential or single-ended mode while the Baseband in-  
puts will support modulation inputs from DC - 250 MHz  
typical. This device is optimized for a supply voltage of  
+3.3V @ 108 mA and will provide stable performance  
over a +3V to +3.6V range.  
10  
Electrical Specifications, See Test Conditions on following page herein.  
Parameter  
Frequency Range, RF  
Output Power  
Min.  
Typ.  
Max.  
Min.  
Typ.  
Max.  
Min.  
Typ.  
Max. Min.  
Typ. Max.  
3400 - 3800  
Units  
MHz  
450 - 960  
1800 - 2200  
2100 - 2700  
-7  
-5  
2
-8  
-6  
1
-9  
-7  
0
-11  
-9  
-2  
dBm  
Output P1dB  
dBm  
Output IP3  
17  
14  
14  
13  
dBm  
Output Noise Floor  
Carrier Suppression (uncalibrated)  
-159  
38  
-158  
38  
-158  
35  
-157  
34  
dBm/Hz  
dBc  
Sideband Suppression  
(uncalibrated)  
34  
31  
30  
28  
dBc  
IM3 Suppression  
59  
18  
13  
50  
17  
8
50  
16  
7
56  
13  
5
dBc  
dB  
RF Port Return Loss  
LO Port Return Loss  
CDMA IS95  
dB  
ACPR@ 880 MHz & 1960 MHz  
Channel Power  
-72  
-15  
-71.5  
-18.4  
N/A  
N/A  
N/A  
N/A  
dBc  
dBm  
W-CDMA 3GPP  
ACPR@ 1960 & 2140 MHz  
Channel Power  
N/A  
N/A  
-60  
-59  
N/A  
N/A  
dBc  
-17.3  
-14.4  
dBm  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
10 - 10  
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HMC495LP3ETR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HMC495LP3E HITTITE

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