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HMC489LP5TR PDF预览

HMC489LP5TR

更新时间： 2024-09-25 12:58:35
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
6页 243K
描述
Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS,

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HMC489LP5TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：LCC32,.2SQ,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.12JESD-609代码：e0
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：32最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：LCC32,.2SQ,20电源：7 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
表面贴装：YES技术：GAAS
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

HMC489LP5TR 数据手册

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HMC489LP5 / 489LP5E  
v01.0705  
SURFACE MOUNT PHEMT 1 WATT  
POWER AMPLIFIER, 12 - 16 GHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC489LP5 / HMC489LP5E is ideal for use as  
a power amplifier for:  
Saturated Power: +32 dBm @ 16% PAE  
Output IP3: +34 dBm  
• Point-to-Point Radios  
• Point-to-Multi-Point Radios  
• Test Equipment and Sensors  
• Military End-Use  
Gain: 13 dB  
+7V @ 1300 mA Supply  
50 Ohm Matched Input/Output  
25 mm2 Leadless SMT Package  
11  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC489LP5 & HMC489LP5E are high dynamic  
range GaAs PHEMT MMIC Power Amplifiers housed  
in leadless 5 x 5 mm surface mount packages.  
Operating from 12 to 16 GHz, the amplifier provides  
13 dB of gain, +32 dBm of saturated power and  
16% PAE from a +7V supply voltage. Output IP3 is  
+34 dBm typical. The RF I/Os are DC blocked  
and matched to 50 Ohms for ease of use. The  
HMC489LP5(E)eliminate the need for wire bonding,  
allowing use of surface mount manufacturing  
techniques.  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd1, 2, 3, 4, 5 = +7V, Idd = 1300 mA*  
Parameter  
Min.  
Typ.  
12 - 14  
13  
Max.  
Min.  
Typ.  
14 - 16  
13  
Max.  
0.07  
Units  
GHz  
dB  
Frequency Range  
Gain  
10  
10  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
0.05  
12  
0.07  
0.05  
8
dB/ °C  
dB  
Output Return Loss  
8
15  
dB  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Saturated Output Power (Psat)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
Noise Figure  
24  
29  
28  
31  
dBm  
dBm  
dBm  
dB  
30  
32  
32  
34  
7
9
Supply Current (Idd)(Vdd = +7V, Vgg = -0.3V Typ.)  
1300  
1300  
mA  
* Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd = 1300 mA typical.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
11 - 276  
123456

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