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HMC489LP5E

更新时间： 2024-09-25 10:53:51

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
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6页	243K
描述
SURFACE MOUNT PHEMT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 12 - 16 GHz

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HMC489LP5E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	10 dB	最大输入功率 (CW)：	28 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最大工作频率：	16000 MHz	最小工作频率：	12000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20
电源：	7 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

HMC489LP5E 数据手册

HMC489LP5 / 489LP5E

v01.0705

SURFACE MOUNT PHEMT 1 WATT

POWER AMPLIFIER, 12 - 16 GHz

Typical Applications

Features

The HMC489LP5 / HMC489LP5E is ideal for use as

a power ampliﬁer for:

Saturated Power: +32 dBm @ 16% PAE

Output IP3: +34 dBm

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• Test Equipment and Sensors

• Military End-Use

Gain: 13 dB

+7V @ 1300 mA Supply

50 Ohm Matched Input/Output

25 mm²Leadless SMT Package

Functional Diagram

General Description

The HMC489LP5 & HMC489LP5E are high dynamic

range GaAs PHEMT MMIC Power Ampliﬁers housed

in leadless 5 x 5 mm surface mount packages.

Operating from 12 to 16 GHz, the ampliﬁer provides

13 dB of gain, +32 dBm of saturated power and

16% PAE from a +7V supply voltage. Output IP3 is

+34 dBm typical. The RF I/Os are DC blocked

and matched to 50 Ohms for ease of use. The

HMC489LP5(E)eliminate the need for wire bonding,

allowing use of surface mount manufacturing

techniques.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vdd1, 2, 3, 4, 5 = +7V, Idd = 1300 mA*

Parameter

Min.

Typ.

12 - 14

Max.

Min.

Typ.

14 - 16

Max.

0.07

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.05

0.07

0.05

dB/ °C

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

dBm

Supply Current (Idd)(Vdd = +7V, Vgg = -0.3V Typ.)

1300

* Adjust Vgg between -2 to 0V to achieve Idd = 1300 mA typical.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

11 - 276

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC489LP5ETR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC489LP5TR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 1 Func, GAAS,
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HMC490LP5E	ADI	获取价格	低噪声高IP3放大器，采用SMT封装，12 - 16 GHz
HMC490LP5ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 12000MHz Min, 16000MHz Max, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PL

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