是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Lifetime Buy | 包装说明: | SL,4GW-LD,.085CIR |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.05 | JESD-609代码: | e3 |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | SL,4GW-LD,.085CIR | 电源: | 8 V |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率: | 85 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC481MP86TR | HITTITE |
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暂无描述 |
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HMC481ST89 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5.0 GHz |
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HMC481ST89_10 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5 GHz |
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HMC481ST89E | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5 GHz |
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HMC481ST89ETR | HITTITE |
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暂无描述 |
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HMC481ST89TR | HITTITE |
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Wide Band Low Power Amplifier, |
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HMC482ST89 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5.0 GHz |
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HMC482ST89 | ADI |
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SiGe HBT Gain Block Amplifier SMT, DC - 5 GHz |
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HMC482ST89_10 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5 GHz |
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HMC482ST89E | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 5.0 GHz |
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