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HMC479MP86ETR

更新时间： 2024-02-17 08:35:57
品牌 Logo 应用领域
HITTITE /
页数 文件大小 规格书
6页 218K
描述
RF/Microwave Amplifier, 0MHz Min, 5000MHz Max, 1 Func, BIPolar, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, MICRO-P-4

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HMC479MP86ETR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.7
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：7.5 dB最大输入功率 (CW)：17 dBm
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：4
最大工作频率：5000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SL,4GW-LD,.085CIR
电源：8 V子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：100 mA表面贴装：YES
技术：BIPOLAR端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HMC479MP86ETR 数据手册

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HMC479MP86 / 479MP86E  
v03.0810  
SiGe HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 5 GHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC479MP86 / HMC479MP86E is an ideal RF/  
IF gain block & LO or PA driver:  
P1dB Output Power: +18 dBm  
Gain: 15 dB  
8
• Cellular / PCS / 3G  
Output IP3: +34 dBm  
• Fixed Wireless & WLAN  
Cascadable 50 Ohm I/Os  
Single Supply: +5V to +12V  
Included in the HMC-DK001 Designer’s Kit  
• CATV, Cable Modem & DBS  
• Microwave Radio & Test Equipment  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC479MP86 & HMC479MP86E are SiGe  
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Gain Block  
MMIC SMT amplifiers covering DC to 5 GHz. This  
Micro-P packaged amplifier can be used as a  
cascadable 50 Ohm RF/IF gain stage as well as a LO  
or PA driver with up to +21 dBm output power. The  
HMC479MP86(E) offers 15 dB of gain with a +34 dBm  
output IP3 at 850 MHz while requiring only 72 mA from  
a single positive supply. The Darlington feedback pair  
used results in reduced sensitivity to normal process  
variations and excellent gain stability over temperature  
while requiring a minimal number of external bias  
components.  
Electrical Specifications, Vs= 8.0 V, Rbias= 51 Ohm, TA = +25° C  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 2.0 GHz  
2.0 - 3.0 GHz  
3.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 5.0 GHz  
12.5  
11.5  
10.5  
9
14.5  
13  
12  
11  
9.5  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
Gain  
7. 5  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
DC - 5 GHz  
0.008  
0.012  
dB/ °C  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 2.0 GHz  
2.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 5.0 GHz  
12  
16  
18  
15  
dB  
dB  
dB  
dB  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 3.5 GHz  
3.5 - 5.0 GHz  
18  
25  
15  
dB  
dB  
dB  
Output Return Loss  
Reverse Isolation  
DC - 5 GHz  
18  
dB  
0.5 - 1.0 GHz  
1.0 - 2.5 GHz  
2.5 - 4.0 GHz  
4.0 - 5.0 GHz  
16  
13  
11  
9
18.5  
17  
14  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
12  
0.5 - 1.0 GHz  
1.0 - 2.5 GHz  
2.5 - 4.0 GHz  
4.0 - 5.0 GHz  
34  
32  
28  
25  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Third Order Intercept (IP3)  
(Pout= 0 dBm per tone, 1 MHz spacing)  
DC - 2.0 GHz  
2.0 - 5.0 GHz  
4.0  
4.8  
dB  
dB  
Noise Figure  
Supply Current (Icq)  
72  
100  
mA  
Note: Data taken with broadband bias tee on device output.  
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824  
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com  
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com  
8 - 1  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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