是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.31.00.01 | 风险等级: | 5.06 |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | SL,4GW-LD,.085CIR | 电源: | 5 V |
射频/微波设备类型: | WIDE BAND LOW POWER | 子类别: | RF/Microwave Amplifiers |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC478SC70 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHz | |
HMC478SC70_09 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHz | |
HMC478SC70E | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHz | |
HMC478SC70ETR | HITTITE |
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Wide Band Low Power Amplifier, | |
HMC478SC70TR | HITTITE |
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Wide Band Low Power Amplifier, | |
HMC478ST89 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4.0 GHz | |
HMC478ST89_10 | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4 GHz | |
HMC478ST89E | HITTITE |
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SiGe HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4.0 GHz | |
HMC478ST89ETR | HITTITE |
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暂无描述 | |
HMC478ST89TR | HITTITE |
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Wide Band Low Power Amplifier, |