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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC475ST89E
HMC475ST89E PDF预览

HMC475ST89E

更新时间： 2024-12-01 04:22:03
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
6页 272K
描述
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 4.5 GHz

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HMC475ST89E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：TO-243
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.48特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：9 dB
最大输入功率 (CW)：17 dBmJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：3最大工作频率：4500 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TO-243电源：8 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：135 mA表面贴装：YES
技术：BIPOLAR端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HMC475ST89E 数据手册

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HMC475ST89 / 475ST89E  
v01.0107  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 4.5 GHz  
5
Typical Applications  
The HMC475ST89 / HMC475ST89E is an ideal RF/IF  
gain block & LO or PA driver:  
Features  
P1dB Output Power: +22 dBm  
Gain: 21.5 dB  
• Cellular / PCS / 3G  
Output IP3: +35 dBm  
• Fixed Wireless & WLAN  
• CATV, Cable Modem & DBS  
• Microwave Radio & Test Equipment  
• IF and RF Applications  
Cascadable 50 Ohm I/Os  
Single Supply: +8V to +12V  
Industry Standard SOT89 Package  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC475ST89(E) is a InGaP Heterojunction  
Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC SMT  
amplifier covering DC to 4.5 GHz. Packaged in an  
industry standard SOT89, the amplifier can be used  
as a cascadable 50 Ohm RF/IF gain stage as well as  
a LO or PA driver with up to +25 dBm output power.  
The HMC475ST89(E) offers 21.5 dB of gain and +35  
dBm output IP3 at 850 MHz while requiring only 110  
mA from a single positive supply. The Darlington  
topology results in reduced sensitivity to normal  
process variations and excellent gain stability over  
temperature while requiring a minimal number of  
external bias components.  
Electrical Specifications, Vs= 8.0 V, Rbias= 9.1 Ohm, TA = +25° C  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 2.0 GHz  
2.0 - 3.0 GHz  
3.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 4.5 GHz  
DC - 4.5 GHz  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 2.0 GHz  
2.0 - 4.5 GHz  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 4.5 GHz  
DC - 4.5 GHz  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 2.0 GHz  
2.0 - 3.0 GHz  
3.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 4.5 GHz  
DC - 2.5 GHz  
2.5 - 4.5 GHz  
DC - 3.0 GHz  
3.0 - 4.5 GHz  
19.5  
17.5  
14.5  
11.5  
9
21.5  
19.5  
16.5  
13.5  
12  
0.008  
11  
14  
14  
13  
10  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB/ °C  
dB  
dB  
dB  
dB  
Gain  
Gain Variation Over Temperature  
Input Return Loss  
0.012  
Output Return Loss  
Reverse Isolation  
dB  
dB  
25  
19.0  
18.0  
17.5  
13.0  
11.0  
22.0  
21.0  
19.5  
16.0  
14.0  
35  
30  
3.5  
3.8  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dB  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
(Pout= 0 dBm per tone, 1 MHz spacing)  
Noise Figure  
dB  
Supply Current (Icq)  
110  
135  
mA  
Note: Data taken with broadband bias tee on device output.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 432  
123456

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HMC475ST89E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HMC475ST89ETR HITTITE

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