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HMC465LP5E

更新时间: 2024-11-30 10:53:51
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器驱动
页数 文件大小 规格书
8页 658K
描述
GaAs PHEMT MMIC MODULATOR DRIVER AMPLIFIER, DC - 20 GHz

HMC465LP5E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:LCC32,.2SQ,20
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.07Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:9.5 dB最大输入功率 (CW):23 dBm
JESD-609代码:e3安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:32
最大工作频率:20000 MHz最小工作频率:
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:LCC32,.2SQ,20
电源:8 V射频/微波设备类型:WIDE BAND LOW POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers表面贴装:YES
技术:GAAS端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

HMC465LP5E 数据手册

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HMC465LP5 / 465LP5E  
ꢀ06.1210  
GaAs PHEMT MMIC MODULATOR DRIVER  
AMPLIFIER, DC - 20 GHz  
Typical Applications  
Features  
Thꢁ Hmc465lp5(e) wꢂdꢁbaꢊd dꢄꢂꢀꢁꢄ ꢂꢃ ꢂdꢁaꢇ ꢋꢌꢄ:  
• oc192 ln/mZ mꢌduꢇatꢌꢄ Dꢄꢂꢀꢁꢄ  
• mꢂꢈꢄꢌwaꢀꢁ radꢂꢌ & vsAT  
Gaꢂꢊ: 15 dB  
8
outꢆut vꢌꢇtagꢁ tꢌ 10vꢆꢉ-ꢆꢉ  
+24 dBꢅ satuꢄatꢁd outꢆut pꢌwꢁꢄ  
suꢆꢆꢇy vꢌꢇtagꢁ: +8v @160 ꢅA  
50 ohꢅ matꢈhꢁd iꢊꢆut/outꢆut  
32 lꢁad 5x5 ꢅꢅ Qfn paꢈꢉagꢁ: 25 ꢅꢅ2  
• Tꢁꢃt iꢊꢃtꢄuꢅꢁꢊtatꢂꢌꢊ  
• mꢂꢇꢂtaꢄy eW, ecm & c3i  
Functional Diagram  
General Description  
Thꢁ Hmc465lp5(e) ꢂꢃ a GaAꢃ mmic pHemT Dꢂꢃ-  
tꢄꢂbutꢁd Dꢄꢂꢀꢁꢄ Aꢅꢆꢇꢂfiꢁꢄ ꢆaꢈꢉagꢁd ꢂꢊ ꢇꢁadꢇꢁꢃꢃ 5x5  
ꢅꢅ ꢃuꢄꢋaꢈꢁ ꢅꢌuꢊt ꢆaꢈꢉagꢁ whꢂꢈh ꢌꢆꢁꢄatꢁ bꢁtwꢁꢁꢊ  
Dc aꢊd 20 GHz. Thꢁ aꢅꢆꢇꢂfiꢁꢄ ꢆꢄꢌꢀꢂdꢁꢃ 15 dB ꢌꢋ gaꢂꢊ,  
3 dB ꢊꢌꢂꢃꢁ figuꢄꢁ aꢊd +25 dBꢅ ꢌꢋ ꢃatuꢄatꢁd ꢌutꢆut  
ꢆꢌwꢁꢄ whꢂꢇꢁ ꢄꢁquꢂꢄꢂꢊg ꢌꢊꢇy 160 ꢅA ꢋꢄꢌꢅ a +8v ꢃuꢆꢆꢇy.  
Gaꢂꢊ flatꢊꢁꢃꢃ ꢂꢃ ꢁxꢈꢁꢇꢇꢁꢊt at 0.5 dB aꢃ wꢁꢇꢇ aꢃ  
4
dꢁg dꢁꢀꢂatꢂꢌꢊ ꢋꢄꢌꢅ ꢇꢂꢊꢁaꢄ ꢆhaꢃꢁ ꢋꢄꢌꢅ Dc - 10 GHz  
ꢅaꢉꢂꢊg thꢁ Hmc465lp5(e) ꢂdꢁaꢇ ꢋꢌꢄ oc192 fibꢁꢄ  
ꢌꢆtꢂꢈ ln/mZ ꢅꢌduꢇatꢌꢄ dꢄꢂꢀꢁꢄ aꢅꢆꢇꢂfiꢁꢄꢃ aꢃ wꢁꢇꢇ aꢃ  
tꢁꢃt ꢁquꢂꢆꢅꢁꢊt aꢆꢆꢇꢂꢈatꢂꢌꢊꢃ. Thꢁ Hmc465lp5(e)  
aꢅꢆꢇꢂfiꢁꢄꢃ i/oꢃ aꢄꢁ ꢂꢊtꢁꢄꢊaꢇꢇy ꢅatꢈhꢁd tꢌ 50 ohꢅꢃ.  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd= 8V, Vgg2= 1.5V, Idd= 160 mA*  
paꢄaꢅꢁtꢁꢄ  
fꢄꢁquꢁꢊꢈy raꢊgꢁ  
mꢂꢊ.  
Tyꢆ.  
Dc - 6  
16  
max.  
mꢂꢊ.  
Tyꢆ.  
6.0 - 12.0  
15  
max.  
mꢂꢊ.  
Tyꢆ.  
max.  
Uꢊꢂtꢃ  
GHz  
dB  
12.0 - 20.0  
Gaꢂꢊ  
13  
12  
9.5  
12.5  
1.5  
0.035  
4.0  
8
Gaꢂꢊ fꢇatꢊꢁꢃꢃ  
0.75  
0.015  
3.0  
0.25  
0.020  
3.0  
dB  
Gaꢂꢊ vaꢄꢂatꢂꢌꢊ oꢀꢁꢄ Tꢅꢆꢁꢄatuꢄꢁ  
nꢌꢂꢃꢁ fꢂguꢄꢁ  
0.02  
0.025  
0.045  
dB/ °c  
dB  
iꢊꢆut rꢁtuꢄꢊ lꢌꢃꢃ  
20  
15  
dB  
outꢆut rꢁtuꢄꢊ lꢌꢃꢃ  
22  
17  
12  
dB  
outꢆut pꢌwꢁꢄ ꢋꢌꢄ 1 dB cꢌꢅꢆꢄꢁꢃꢃꢂꢌꢊ (p1dB)  
satuꢄatꢁd outꢆut pꢌwꢁꢄ (pꢃat)  
outꢆut Thꢂꢄd oꢄdꢁꢄ iꢊtꢁꢄꢈꢁꢆt (ip3)  
satuꢄatꢁd outꢆut vꢌꢇtagꢁ  
Gꢄꢌuꢆ Dꢁꢇay vaꢄꢂatꢂꢌꢊ  
21  
24  
20  
23  
16  
20  
dBꢅ  
dBꢅ  
dBꢅ  
vꢆꢉ-ꢆꢉ  
ꢆsꢁꢈ  
25.5  
32  
25  
23  
28  
24  
10  
10  
8
15  
15  
suꢆꢆꢇy cuꢄꢄꢁꢊt  
(idd) (vdd= 8v, vgg1= -0.6v Tyꢆ.)  
160  
160  
160  
ꢅA  
* Adjust Vgg1 between -2 to 0V to achieve Idd= 160 mA typical.  
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824  
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com  
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com  
8 - 1  

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