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HMC465

更新时间： 2024-01-09 04:47:04
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器驱动
页数 文件大小 规格书
8页 292K
描述
GaAs PHEMT MMIC MODULATOR DRIVER AMPLIFIER, DC - 20.0 GHz

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HMC465 技术参数

生命周期：Active包装说明：DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：13 dB最大输入功率 (CW)：23 dBm
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：8最大工作频率：20000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装等效代码：DIE OR CHIP电源：1.5,8 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER表面贴装：YES
技术：GAASBase Number Matches：1

HMC465 数据手册

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HMC465  
v03.0704  
MICROWAVE CORPORATION  
GaAs PHEMT MMIC MODULATOR DRIVER  
AMPLIFIER, DC - 20.0 GHz  
Typical Applications  
The HMC465 wideband driver is ideal for:  
• OC192 LN/MZ Modulator Driver  
• Telecom Infrastructure  
Features  
Gain: 17 dB  
1
Output Voltage to 10Vpk-pk  
+24 dBm Saturated Output Power  
Supply Voltage: +8V @160 mA  
50 Ohm Matched Input/Output  
3.12 mm x 1.63 mm x 0.1 mm  
• Test Instrumentation  
• Military & Space  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC465 is a GaAs MMIC PHEMT Distrib-  
uted Driver Amplifier die which operates between  
DC and 20 GHz. The amplifier provides 17 dB of  
gain, 2.5 dB noise figure and +24 dBm of saturated  
output power while requiring only 160 mA from a  
+8V supply. Gain flatness is excellent at 0.25 dB  
as well as +/- 1 deg deviation from linear phase  
from DC - 10 GHz making the HMC465 ideal for  
OC192 fiber optic LN/MZ modulator driver ampli-  
fier as well as test equipment applications. The  
HMC465 amplifier I/Os are internally matched to  
50 Ohms facilitating easy integration into Multi-  
Chip-Modules (MCMs). All data is with the chip  
in a 50 Ohm test fixture connected via 0.025 mm  
(1 mil) diameter wire bonds of minimal length  
0.31mm (12 mils).  
Electrical Specifications,TA = +25° C, Vdd= 8V, Vgg2= 1.5V, Idd= 160 mA*  
Parameter  
Min.  
Typ.  
DC - 6.0  
18  
Max.  
Min.  
Typ.  
6.0 - 12.0  
17  
Max.  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
GHz  
dB  
Frequency Range  
12.0 - 20.0  
Gain  
15  
15  
13  
16.5  
0.5  
0.02  
3.0  
16  
17  
20  
22  
26  
8
Gain Flatness  
0.5  
0.25  
0.015  
2.5  
dB  
Gain Variation Over Temperature  
Noise Figure  
0.015  
3.0  
0.025  
5.0  
0.025  
3.5  
0.03  
4.5  
dB/ °C  
dB  
Input Return Loss  
18  
20  
dB  
Output Return Loss  
18  
17  
dB  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Saturated Output Power (Psat)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
Saturated Output Voltage  
Group Delay Variation  
19.5  
22.5  
24  
19  
22  
17  
dBm  
dBm  
dBm  
Vpk-pk  
pSec  
24  
33  
30  
10  
10  
3
3
3
Supply Current  
(Idd) (Vdd= 8V, Vgg1= -0.6V Typ.)  
160  
160  
160  
mA  
* Adjust Vgg1 between -2 to 0V to achieve Idd= 160 mA typical.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order Online at www.hittite.com  
1 - 112  
12345678

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