HMC463LP5

更新时间： 2024-01-02 15:51:30

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
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GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AGC AMPLIFIER, 2.0 - 20.0 GHz

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HMC463LP5 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	LCC32,.2SQ,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.27	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	8 dB
最大输入功率 (CW)：	18 dBm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	32
最大工作频率：	20000 MHz	最小工作频率：	2000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC32,.2SQ,20
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	80 mA
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

HMC463LP5 数据手册

HMC463LP5

v00.0404

MICROWAVE CORPORATION

GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

AGC AMPLIFIER, 2.0 - 20.0 GHz

Typical Applications

The HMC463LP5 is ideal for:

• Telecom Infrastructure

• Microwave Radio & VSAT

• Military EW, ECM & C³I

• Test Instrumentation

Features

Gain: 13 dB

Noise Figure: 2.8 dB @ 10 GHz

P1dB Output Power: +18 dBm @ 10 GHz

Supply Voltage: +5.0V @ 60 mA

50 Ohm Matched Input/Output

25 mm²Leadless Package

• Fiber Optics

Functional Diagram

General Description

The HMC463LP5 is a GaAs MMIC PHEMT Low

Noise AGC Distributed Ampliﬁer packaged in a

leadless 5 x 5 mm surface mount package which

operates between 2 and 20 GHz. The ampliﬁer

provides 13 dB of gain, 3.0 dB noise ﬁgure and 18

dBm of output power at 1 dB gain compression

while requiring only 60 mA from a +5V supply.

An optional gate bias (Vgg2) is provided to allow

Adjustable Gain Control (AGC) of 8 dB typical.

Gain ﬂatness is excellent at ±0.5 dB from 6 - 18

GHz making the HMC463LP5 ideal for EW, ECM

RADAR and test equipment applications. The

HMC463LP5 LNA I/Os are internally matched to

50 Ohms and are internally DC blocked.

Vgg2: Optional Gate Bias for AGC

Electrical Speciﬁcations,T_A= +25° C, Vdd= 5V, Idd= 60 mA*

Parameter

Min.

Typ.

2.0 - 6.0

Max.

Min.

Typ.

6.0 - 18.0

Max.

Min.

Typ.

18.0 - 20.0

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Gain Flatness

±0.5

0.010

3.0

±0.5

0.010

3.0

±0.5

0.010

5.5

Gain Variation Over Temperature

Noise Figure

0.015

4.0

0.015

5.0

0.015

6.5

dB/ °C

Input Return Loss

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

dBm

Supply Current

(Idd) (Vdd= 5V, Vgg1= -0.9V Typ.)

* Adjust Vgg1 between -2 to -0V to achieve Idd= 60 mA typical.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

8 - 262

12 3 4 5 6

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