Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC463LH250

HMC463LH250

更新时间： 2024-11-30 04:22:03

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
页数	文件大小	规格书
6页	350K
描述
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AGC AMPLIFIER, 2 - 20 GHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HMC463LH250 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LCC12,.25SQ
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	8 dB
最大输入功率 (CW)：	23 dBm	JESD-609代码：	e4
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	12	最大工作频率：	20000 MHz
最小工作频率：	2000 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC
封装等效代码：	LCC12,.25SQ	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	80 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Gold (Au)
Base Number Matches：	1

HMC463LH250 数据手册

HMC463LH250

v01.0107

GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

AGC AMPLIFIER, 2 - 20 GHz

Typical Applications

The HMC463LH250 is ideal for:

• Telecom Infrastructure

• Microwave Radio & VSAT

• Military EW, ECM & C³I

• Test Instrumentation

Features

50 Ohm Matched Input/Output

Hermetic SMT Package

Gain: 14 dB

Noise Figure: 2.5 dB @ Mid-Band

P1dB Output Power: +18 dBm @ Mid-Band

Supply Voltage: +5.0V @ 60 mA

Screening to MIL-PRF-38535 (Class B or S) Available

• Fiber Optics

Functional Diagram

General Description

The HMC463LH250 is a GaAs MMIC PHEMT Low

Noise AGC Distributed Ampliﬁer packaged in a

hermetic surface mount package which operates

between 2 and 20 GHz. The ampliﬁer provides 13

dB of gain, 3.0 dB noise ﬁgure and 18 dBm of output

power at 1 dB gain compression while requiring only

60 mA from a +5V supply. An optional gate bias

(Vgg2) is provided to allow Adjustable Gain Control

(AGC) of 8 dB typical. Gain ﬂatness is excellent at

0.5 dB from 2 - 14 GHz making the HMC463LH250

ideal for EW, ECM RADAR, test equipment and High-

Reliability applications. The HMC463LH250 LNA I/Os

are internally matched to 50 Ohms and are internally

DC blocked.

Electrical Specifications, T_A= +25° C, Vdd= 5V, Vgg2= Open, Idd= 60 mA*

Parameter

Frequency Range

Min.

Typ.

2.0 - 6.0

14.5

0.25

0.010

3.5

Max.

Min.

Typ.

6.0 - 16.0

Max.

Min.

Typ.

Max.

Units

GHz

16.0 - 20.0

Gain

11.5

0.9

0.010

Gain Flatness

0.5

Gain Variation Over Temperature

Noise Figure

0.010

2.5

dB/ °C

5.5

4.5

5.5

Input Return Loss

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

dBm

21.5

20.5

Supply Current

(Idd) (Vdd= 5V, Vgg1= -0.9V Typ.)

* Adjust Vgg1 between -2 to -0V to achieve Idd= 60 mA typical.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

5 - 384

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与HMC463LH250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC463LH250_10	HITTITE	获取价格	GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AGC AMPLIFIER, 2 - 20 GHz
HMC463LH250TR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier,
HMC463LP5	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AGC AMPLIFIER, 2.0 - 20.0 GHz
HMC463LP5	ADI	获取价格	集成AGC的宽带低噪声放大器，采用SMT封装，2 - 20 GHz
HMC463LP5_11	HITTITE	获取价格	GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AGC AMPLIFIER, 2 - 20 GHz
HMC463LP5E	HITTITE	获取价格	GaAs pHEMT MMIC LOW NOISE AGC AMPLIFIER, 2 - 20 GHz
HMC463LP5ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 2000MHz Min, 20000MHz Max, 5 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLE
HMC464	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, 2.0 - 20.0 GHz
HMC464_09	HITTITE	获取价格	GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, 2 - 20 GHz
HMC464-Die	ADI	获取价格	宽带功率放大器芯片，2 - 20 GHz

与HMC463LH250相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC463LH250

HMC463LH250 技术参数

HMC463LH250 数据手册

与HMC463LH250相关器件

与HMC463LH250相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC463LH250

HMC463LH250 技术参数

HMC463LH250 数据手册

与HMC463LH250相关器件

与HMC463LH250相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？