是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | TO-243 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.08 | 安装特点: | SURFACE MOUNT |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码: | TO-243 |
电源: | 5 V | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND MEDIUM POWER |
子类别: | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率: | 175 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | BIPOLAR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC454ST89E | HITTITE |
完全替代 ![]() |
InGaP HBT ? WATT HIGH IP3 AMPLIFIER, 0.4 - 2.5 GHz |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC454ST89TR | HITTITE |
获取价格 |
Wide Band Medium Power Amplifier, |
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HMC455 | ADI |
获取价格 |
?瓦特高IP3放大器,采用SMT封装,1.7 - 2.5 GHz |
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HMC455LP3 | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1/2 Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz |
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HMC455LP3_06 | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2. |
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HMC455LP3_09 | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT ? Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz |
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HMC455LP3E | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT ? Watt High IP3 AMPLIFIER, 1.7 - 2.5 GHz |
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HMC455LP3ETR | HITTITE |
获取价格 |
Narrow Band Medium Power Amplifier, |
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HMC455LP3TR | HITTITE |
获取价格 |
Narrow Band Medium Power Amplifier, |
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HMC457 | ADI |
获取价格 |
1瓦特功率放大器,采用SMT封装,1.7 - 2.2 GHz |
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HMC457QS16G | HITTITE |
获取价格 |
InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz |
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