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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HMC435MS8GE
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HMC435MS8GE

更新时间： 2024-11-13 10:53:47
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管分离技术隔离技术
页数 文件大小 规格书
4页 159K
描述
SPDT NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 4 GHz

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HMC435MS8GE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, MSOP-86, 6 PIN
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81dB压缩点：31 dBm
其他特性：HIGH ISOLATION特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT最大输入功率 (CW)：30.97 dBm
最大插入损耗：1.8 dB最小隔离度：30 dB
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：8
最大工作频率：4000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：TSSOP8,.19
电源：5 V射频/微波设备类型：SPDT
子类别：RF/Microwave Switches表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

HMC435MS8GE 数据手册

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HMC435MS8G / 435MS8GE  
v05.0110  
SPDT NON-REFLECTIVE  
SWITCH, DC - 4 GHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC435MS8G(E) is ideal for:  
• Basestations & Repeaters  
• Cellular/3G and WiMAX/4G  
• Infrastructure and Access Points  
• CATV/CMTS  
High Isolation: 60 dB @ 1 GHz  
50 dB @ 2 GHz  
Positive Control: 0/+5V  
Input IP3: 51 dBm  
Non-Reflective Design  
Ultra Small MSOP-86 Package: 14.8 mm2  
• Test Instrumentation  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC435MS8G(E) is a non-reflective DC to  
4 GHz GaAs MESFET SPDT switch in a low cost 8  
lead MSOP8G surface mount package with exposed  
ground paddle. The switch is ideal for cellular/3G  
and WiMAX/4G applications yielding up to 60 dB  
isolation, low 0.8 dB insertion loss and +50 dBm  
input IP3. Power handling is excellent up through the  
3.8 GHz WiMAX band with the switch offering a P1dB  
compression of +31 dBm. On-chip circuitry allows  
positive voltage control of 0/+5 Volts at very low DC  
currents.  
11  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vctl = 0/+5 Vdc, 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 2.5 GHz  
DC - 3.6 GHz  
DC - 4.0 GHz  
0.8  
1.2  
1.5  
1.0  
1.5  
1.8  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
DC - 1.0 GHz  
DC - 2.0 GHz  
DC - 2.5 GHz  
DC - 3.6 GHz  
DC - 4.0 GHz  
56  
46  
43  
37  
30  
60  
50  
47  
41  
35  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
Isolation (RFC to RF1/RF2)  
DC - 2.5 GHz  
DC - 3.6 GHz  
DC - 4.0 GHz  
15  
13  
11  
20  
17  
15  
dB  
dB  
dB  
Return Loss (On State)  
Return Loss (Off State)  
0.5 - 4.0 GHz  
0.5 - 4.0 GHz  
16  
27  
21  
31  
dB  
Input Power for 1 dB Compression  
dBm  
0.5 - 1.0 GHz  
0.5 - 2.5 GHz  
0.5 - 4.0 GHz  
48  
45  
41  
51  
48  
45  
Input Third Order Intercept  
(Two-Tone Input Power = +7 dBm Each Tone)  
dBm  
Switching Speed  
DC - 4.0 GHz  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
40  
60  
ns  
ns  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
11 - 122  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HMC435MS8GERTR HITTITE

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 		RF/Microwave Switch
HMC435MS8GETR HITTITE

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 		SPDT, 0MHz Min, 4000MHz Max, 1 Func, 1.8dB Insertion Loss-Max, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SM
HMC435MS8GRTR HITTITE

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 		使用InGaP HBT技术，3分频，采用SMT封装，DC - 7 GHz
HMC437MS8G HITTITE

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 		SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-3, DC - 7.0 GHz

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