Datasheet > HMC413QS16GE

HMC413QS16GE

更新时间： 2024-11-09 10:53:47

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		放大器射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
8页	284K
描述
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 1.6 - 2.2 GHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HMC413QS16GE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18 dB	最大输入功率 (CW)：	15 dBm
JESD-609代码：	e3	最大工作频率：	2200 MHz
最小工作频率：	1600 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER
端子面层：	Matte Tin (Sn)

HMC413QS16GE 数据手册

HMC413QS16G / 413QS16GE

v04.0505

GaAs InGaP HBT MMIC

POWER AMPLIFIER, 1.6 - 2.2 GHz

Typical Applications

Features

This ampliﬁer is ideal for use as a power/driver

ampliﬁer for 1.6 - 2.2 GHz applications:

Gain: 23 dB

Saturated Power: +29.5 dBm

42% PAE

• Cellular / PCS / 3G

• Portable & Infrastructure

• Wireless Local Loop

Supply Voltage: +2.75V to +5V

Power Down Capability

Low External Part Count

Included in the HMC-DK002 Designer’s Kit

Functional Diagram

General Description

The HMC413QS16G & HMC413QS16GE are high

efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Tran-

sistor (HBT) MMIC Power ampliﬁers which operate

between 1.6 and 2.2 GHz. The ampliﬁer is packaged

in a low cost, surface mount 16 leaded package with

an exposed base for improved RF and thermal perfor-

mance. With a minimum of external components, the

ampliﬁer provides 23 dB of gain, +29.5 dBm of satu-

rated power at 42% PAE from a +5V supply voltage.

The ampliﬁer can also operate with a 3.6V supply. Vpd

can be used for full power down or RF output power/

current control.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, As a Function of Vs, Vpd = 3.6V

Vs= 3.6V

Typ.

Vs= 5V

Parameter

Frequency

Units

Min.

Max.

Min.

Typ.

Max.

1.6 - 1.7 GHz

1.7 - 2.0 GHz

2.0 - 2.1 GHz

2.1 - 2.2 GHz

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

1.6 - 2.2 GHz

0.025

0.035

0.025

0.035

dB/°C

Output Return Loss

1.6 - 1.7 GHz

1.7 - 2.2 GHz

dBm

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

1.6 - 1.7 GHz

1.7 - 2.2 GHz

25.5

26.5

28.5

29.5

dBm

1.6 - 1.7 GHz

1.7 - 2.0 GHz

2.0 - 2.2 GHz

dBm

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

1.6 - 2.2 GHz

5.5

Supply Current (Icq)

Control Current (Ipd)

Switching Speed

Vpd= 0V/3.6V

Vpd= 3.6V

0.002/220

0.002/270

tON, tOFF

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

11 - 50

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

HMC413QS16GE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC413QS16GETR	HITTITE	类似代替	Narrow Band Medium Power Amplifier,

与HMC413QS16GE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC413QS16GETR	ADI	获取价格	Power Amplifier SMT, 1.6 - 2.2 GHz
HMC413QS16GETR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier,
HMC413QS16GTR	HITTITE	获取价格	Narrow Band Medium Power Amplifier,
HMC414	ADI	获取价格	InGaP HBT功率放大器SMT，2.2 - 2.8 GHz
HMC414MS8G	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 2.2 - 2.8 GHz
HMC414MS8G_01	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 2.2 - 2.8 GHz
HMC414MS8G_09	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 2.2 - 2.8 GHz
HMC414MS8GE	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 2.2 - 2.8 GHz
HMC414MS8GTR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC415	ADI	获取价格	InGaP HBT功率放大器SMT，4.9 - 5.9 GHz

与HMC413QS16GE相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

48
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC413QS16GE

HMC413QS16GE 技术参数

HMC413QS16GE 数据手册

HMC413QS16GE 替代型号

与HMC413QS16GE相关器件

与HMC413QS16GE相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC413QS16GE

HMC413QS16GE 技术参数

HMC413QS16GE 数据手册

HMC413QS16GE 替代型号

与HMC413QS16GE相关器件

与HMC413QS16GE相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？