Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC406MS8G

HMC406MS8G

更新时间： 2024-11-06 22:20:55

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
8页	260K
描述
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 5.0 - 6.0 GHz

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HMC406MS8G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	TSSOP8,.19
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	13 dB	最大输入功率 (CW)：	20 dBm
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
最大工作频率：	6000 MHz	最小工作频率：	5000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP8,.19
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

HMC406MS8G 数据手册

HMC406MS8G

v02.1202

MICROWAVE CORPORATION

GaAs InGaP HBT MMIC

POWER AMPLIFIER, 5.0 - 6.0 GHz

Typical Applications

Features

Gain: 17 dB

This ampliﬁer is ideal for use as a driver

ampliﬁer for 5.0 - 6.0 GHz applications:

Saturated Power: +29 dBm

38% PAE

• UNII

• HiperLAN & 802.11a WLAN

Supply Voltage: +5.0 V

Power Down Capability

Low External Part Count

Functional Diagram

General Description

The HMC406MS8G is a high efﬁciency GaAs

InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)

MMIC Power ampliﬁer which operates between

5.0 and 6.0 GHz. The ampliﬁer is packaged in a

low cost, surface mount 8 leaded package with

an exposed base for improved RF and thermal

performance. With a minimum of external com-

ponents, the ampliﬁer provides 17 dB of gain and

+29 dBm of saturated power at 38% PAE from

a +5.0V supply voltage. Vpd can be used for full

power down or RF output power/current control.

Electrical Speciﬁcations,T_A= +25° C, Vs = 5V, Vpd = 5V

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain

5.0 - 6.0

5.7 - 5.9

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.03

0.04

0.03

0.04

dB/ °C

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

dBm

6.0

Supply Current (Icq)

Vpd = 0V/5V

Vpd = 5V

0.002 / 300

Control Current (Ipd)

Switching Speed

tON, tOFF

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

8 - 142

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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HMC406MS8GE	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 5 - 6 GHz
HMC406MS8GETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,
HMC407	ADI	获取价格	InGaP HBT功率放大器SMT，5 - 7 GHz
HMC407MS8G	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 5.0 - 7.0 GHz
HMC407MS8G	ADI	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC Power Amplifier, 5 - 7 GHz
HMC407MS8G_07	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 5.0 - 7.0 GHz
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