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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HMC349LP4C
HMC349LP4C PDF预览

HMC349LP4C

更新时间： 2024-11-04 22:26:07
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管分离技术隔离技术
页数 文件大小 规格书
6页 214K
描述
HIGH ISOLATION SPDT NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 4.0 GHz

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HMC349LP4C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：LCC16,.16SQ,25
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66Is Samacsys：N
1dB压缩点：31 dBm其他特性：HIGH ISOLATION
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
最大输入功率 (CW)：30 dBm最大插入损耗：1.7 dB
最小隔离度：55 dBJESD-609代码：e0
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：16准时：0.12 µs
最大工作频率：4000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC16,.16SQ,25
端口终止：ABSORPTIVE电源：5 V
射频/微波设备类型：SPDT子类别：RF/Microwave Switches
表面贴装：YES技术：GAAS
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

HMC349LP4C 数据手册

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HMC349LP4C  
v00.0304  
MICROWAVE CORPORATION  
HIGH ISOLATION SPDT  
NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 4.0 GHz  
Typical Applications  
Features  
High Isolation: 67 dB @ 1 GHz  
62 dB @ 2 GHz  
The HMC349LP4C is ideal for:  
• Basestation Infrastructure  
• MMDS & 3.5 GHz WLL  
• CATV/CMTS  
Single Positive Control: 0/+5V  
+52 dBm Input IP3  
Non-Reflective Design  
All Off State  
• Test Instrumentation  
16 mm2 Leadless QFN SMT Package  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC349LP4C is a high isolation non-  
reflective DC to 4 GHz GaAs MESFET SPDT  
switch in a low cost leadless surface mount  
package. The switch is ideal for cellular/PCS/3G  
basestation applications yielding 60 to 65 dB  
isolation, low 0.9 dB insertion loss and +52 dBm  
input IP3. Power handling is excellent up through  
the 3.5 GHz WLL band with the switch offering a  
P1dB compression point of +31 dBm. On-chip  
circuitry allows a single positive voltage control  
of 0/+5 Volts at very low DC currents. An enable  
input (EN) set to logic high will put the switch in  
an “all off” state.  
14  
Electrical Specifications,TA = +25° C, Vctl = 0/+5 Vdc, Vdd = +5 Vdc, 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 1.0 GHz  
DC - 2.0 GHz  
DC - 3.0 GHz  
DC - 4.0 GHz  
0.9  
1.0  
1.2  
1.4  
1.2  
1.3  
1.5  
1.7  
dB  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
DC - 1.0 GHz  
DC - 4.0 GHz  
60  
55  
67  
62  
dB  
dB  
Isolation (RFC to RF1/RF2)  
DC - 2.0 GHz  
DC - 3.0 GHz  
DC - 4.0 GHz  
20  
15  
13  
dB  
dB  
dB  
Return Loss (On State)  
Return Loss (Off State)  
0.5 - 4.0 GHz  
0.25 - 4.0 GHz  
15  
31  
dB  
Input Power for 1 dB Compression  
27  
dBm  
0.25 - 1.0 GHz  
1.0 - 2.0 GHz  
2.0 - 3.0 GHz  
3.0 - 4.0 GHz  
52  
50  
49  
46  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
Input Third Order Intercept  
(Two-Tone Input Power = +7 dBm Each Tone)  
Switching Speed  
DC - 4.0 GHz  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
50  
120  
ns  
ns  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order Online at www.hittite.com  
14 - 224  
123456

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