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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HMC347C8
HMC347C8 PDF预览

HMC347C8

更新时间： 2024-11-23 22:39:59
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管分离技术隔离技术
页数 文件大小 规格书
6页 180K
描述
GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz

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HMC347C8 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SOP8,.3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.41Is Samacsys：N
1dB压缩点：23 dBm特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT最大输入功率 (CW)：26.99 dBm
最大插入损耗：2.8 dB最小隔离度：32 dB
JESD-609代码：e4安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：8
准时：0.006 µs最大工作频率：8000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC
封装等效代码：SOP8,.3端口终止：ABSORPTIVE
射频/微波设备类型：SPDT子类别：RF/Microwave Switches
表面贴装：YES技术：GAAS
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrierBase Number Matches：1

HMC347C8 数据手册

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HMC347C8  
v01.0404  
MICROWAVE CORPORATION  
GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION  
SPDT SWITCH, DC - 8.0 GHz  
Typical Applications  
The HMC347C8 is ideal for:  
• Telecom Infrastructure  
Features  
Isolation: 50 dB @ 2.5 GHz  
36 dB @ 8.0 GHz  
Insertion Loss: 2.0 dB Typical  
Non-Reflective Design  
• Microwave Radio & VSAT  
• Military Radios, Radar & ECM  
• Test Instrumentation  
Surface Mount Ceramic Package  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC347C8 is a broadband high isolation  
non-reflective GaAs MESFET SPDT switch in  
a non-hermetic surface mount ceramic package.  
Covering DC to 8.0 GHz, the switch features >50  
dB isolation up to 2 GHz and >35 dB isolation up  
to 8.0 GHz. The switch operates using comple-  
mentary negative control voltage logic lines of -5/  
0V and requires no bias supply. This SPDT is an  
excellent replacement for the HMC132C8 SPDT.  
14  
Electrical Specifications,TA = +25° C, With 0/-5V Control, 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
1.7  
2.0  
2.4  
2.0  
2.4  
2.8  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
49  
35  
32  
54  
40  
36  
dB  
dB  
dB  
Isolation  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
10  
7
6
13  
10  
9
dB  
dB  
dB  
Return Loss  
“On State”  
“Off State”  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
9
6
6
dB  
dB  
dB  
Return Loss RF1, RF2  
Input Power for 1 dB Compression  
Input Third Order Intercept  
0.5 - 8.0 GHz  
0.5 - 8.0 GHz  
19  
38  
23  
43  
dBm  
dBm  
(Two-Tone Input Power= +7 dBm Each Tone, 1 MHz Tone Separation)  
Switching Characteristics  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
DC - 8.0 GHz  
3
6
ns  
ns  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order Online at www.hittite.com  
14 - 194  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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