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HMC327MS8G

更新时间： 2024-11-08 22:23:07

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
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8页	262K
描述
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

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HMC327MS8G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	TSSOP8,.19
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	17 dB	最大输入功率 (CW)：	16 dBm
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
最大工作频率：	4000 MHz	最小工作频率：	3000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP8,.19
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

HMC327MS8G 数据手册

HMC327MS8G

v02.1202

MICROWAVE CORPORATION

GaAs InGaP HBT MMIC

POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz

Typical Applications

This ampliﬁer is ideal for use as a power

ampliﬁer for 3.3 - 3.6 GHz applications:

Features

Gain: 21 dB

Saturated Power: +30 dBm

45% PAE

• Wireless Local Loop

Supply Voltage: +5.0 V

Power Down Capability

Low External Part Count

Functional Diagram

General Description

The HMC327MS8G is a high efﬁciency GaAs

InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)

MMIC Power ampliﬁer which operates between

3.0 and 4.0 GHz. The ampliﬁer is packaged in a

low cost, surface mount 8 leaded package with

an exposed base for improved RF and thermal

performance. With a minimum of external com-

ponents, the ampliﬁer provides 21 dB of gain,

+30 dBm of saturated power at 45% PAE from

a +5.0V supply voltage. Power down capability is

available to conserve current consumption when

the ampliﬁer is not in use.

Electrical Speciﬁcations,T_A= +25° C, Vs = 5V, Vctl = 5V

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

GHz

Frequency Range

3.0 - 4.0

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.025

0.035

dB / °C

Output Return Loss

Output Power for 1dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

dBm

5.0

Supply Current (Icq)

Control Current (Ipd)

Switching Speed

Vpd = 0V/5V

Vpd = 5V

0.002 / 250

tON, tOFF

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

8 - 104

12 3 4 5 6 7 8

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HMC327MS8G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC327MS8GE	HITTITE	类似代替	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz

与HMC327MS8G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC327MS8G_07	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz
HMC327MS8G_09	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz
HMC327MS8GE	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz
HMC327MS8GE	ADI	获取价格	MMIC Power Amplifier SMT, 3 - 4 GHz
HMC327MS8GETR	ADI	获取价格	MMIC Power Amplifier SMT, 3 - 4 GHz
HMC327MS8GETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,
HMC327MS8GTR	ADI	获取价格	MMIC Power Amplifier SMT, 3 - 4 GHz
HMC327MS8GTR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier,
HMC329	HITTITE	获取价格	GaAs MMIC DOUBLE-BALANCED MIXER, 25 - 40 GHz
HMC329_07	HITTITE	获取价格	GaAs MMIC DOUBLE-BALANCED MIXER, 25 - 40 GHz

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