是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.64 |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | COMPONENT |
增益: | 18 dB | 最大输入功率 (CW): | 15 dBm |
JESD-609代码: | e3 | 最大工作频率: | 4500 MHz |
最小工作频率: | 3000 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 射频/微波设备类型: | WIDE BAND MEDIUM POWER |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
HMC326MS8GE | HITTITE |
完全替代 |
GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HMC326MS8GRTR | ADI |
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IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,TSSOP,8PIN,PLASTIC | |
HMC326MS8GTR | ADI |
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GaAs InGaP HBT Driver Amplifier SMT, 3.0 - 4.5 GHz | |
HMC327 | ADI |
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MMIC功率放大器SMT,3 - 4 GHz | |
HMC327MS8G | HITTITE |
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GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz | |
HMC327MS8G | ADI |
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MMIC Power Amplifier SMT, 3 - 4 GHz | |
HMC327MS8G_07 | HITTITE |
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GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz | |
HMC327MS8G_09 | HITTITE |
获取价格 |
GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz | |
HMC327MS8GE | HITTITE |
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GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz | |
HMC327MS8GE | ADI |
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MMIC Power Amplifier SMT, 3 - 4 GHz | |
HMC327MS8GETR | ADI |
获取价格 |
MMIC Power Amplifier SMT, 3 - 4 GHz |