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HMC326MS8GE

更新时间： 2024-09-17 10:53:43

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器驱动
页数	文件大小	规格书
6页	222K
描述
GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz

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HMC326MS8GE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, SMT, MSOP-8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18 dB	最大输入功率 (CW)：	15 dBm
JESD-609代码：	e3	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
最大工作频率：	4500 MHz	最小工作频率：	3000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP8,.19
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

HMC326MS8GE 数据手册

HMC326MS8G / 326MS8GE

v08.0808

GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER

AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz

Typical Applications

Features

The HMC326MS8G / HMC326MS8GE is ideal for:

Psat Output Power: +26 dBm

• Microwave Radios

> 40% PAE

• Broadband Radio Systems

Output IP3: +36 dBm

High Gain: 21 dB

• Wireless Local Loop Driver Ampliﬁer

Vs: +5V

Ultra Small Package: MSOP8G

Functional Diagram

General Description

The HMC326MS8G & HMC326MS8GE are high

efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar

Transistor (HBT) MMIC driver ampliﬁers which

operate between 3.0 and 4.5 GHz. The ampliﬁer

is packaged in a low cost, surface mount 8 leaded

package with an exposed base for improved RF and

thermal performance. The ampliﬁer provides 21 dB

of gain and +26 dBm of saturated power from a +5V

supply voltage. Power down capability is available to

conserve current consumption when the ampliﬁer is

not in use. Internal circuit matching was optimized to

provide greater than 40% PAE.

Electrical Speciﬁcations, T_A= +25° C, Vs = 5V, Vpd = 5V

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

GHz

Frequency Range

3.0 - 4.5

Gain

Gain Variation Over Temperature

Input Return Loss

0.025

0.035

dB / °C

Output Return Loss

Output Power for 1dB Compression (P1dB)

Saturated Output Power (Psat)

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

23.5

dBm

Supply Current (Icc)

Control Current (Ipd)

Switching Speed

Vpd = 0V / 5V

tOn/tOff

0.001 / 130

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

9 - 32

12 3 4 5 6

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HMC326MS8GE 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HMC326MS8GETR	HITTITE	完全替代	Wide Band Medium Power Amplifier, 3000MHz Min, 4500MHz Max, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, P

与HMC326MS8GE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC326MS8GERTR	ADI	获取价格	IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,TSSOP,8PIN,PLASTIC
HMC326MS8GETR	ADI	获取价格	GaAs InGaP HBT Driver Amplifier SMT, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8GETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Medium Power Amplifier, 3000MHz Min, 4500MHz Max, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, P
HMC326MS8GRTR	ADI	获取价格	IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,TSSOP,8PIN,PLASTIC
HMC326MS8GTR	ADI	获取价格	GaAs InGaP HBT Driver Amplifier SMT, 3.0 - 4.5 GHz
HMC327	ADI	获取价格	MMIC功率放大器SMT，3 - 4 GHz
HMC327MS8G	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz
HMC327MS8G	ADI	获取价格	MMIC Power Amplifier SMT, 3 - 4 GHz
HMC327MS8G_07	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz
HMC327MS8G_09	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC 1/2 WATT POWER AMPLIFIER, 3 - 4 GHz

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