是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | TSSOP8,.19 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.11 | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | COMPONENT | 增益: | 18 dB |
最大输入功率 (CW): | 15 dBm | JESD-609代码: | e0 |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最大工作频率: | 4500 MHz |
最小工作频率: | 3000 MHz | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码: | TSSOP8,.19 | 电源: | 5 V |
射频/微波设备类型: | WIDE BAND MEDIUM POWER | 子类别: | RF/Microwave Amplifiers |
最大压摆率: | 160 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HMC326MS8G_07 | HITTITE | GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz |
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HMC326MS8G_09 | HITTITE | GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz |
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HMC326MS8GE | HITTITE | GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz |
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HMC326MS8GE | ADI | GaAs InGaP HBT Driver Amplifier SMT, 3.0 - 4.5 GHz |
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HMC326MS8GERTR | ADI | IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,TSSOP,8PIN,PLASTIC |
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HMC326MS8GETR | ADI | GaAs InGaP HBT Driver Amplifier SMT, 3.0 - 4.5 GHz |
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