Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC324MS8G

HMC324MS8G

更新时间： 2024-11-07 04:21:59

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		驱动器射频和微波射频放大器微波放大器
页数	文件大小	规格书
6页	171K
描述
HBT DUAL DRIVER AMPLIFIER DC - 3.0 GHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HMC324MS8G 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP8,.19	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	10 dB	最大输入功率 (CW)：	20 dBm
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	2	端子数量：	8
最大工作频率：	3000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP8,.19
电源：	8.7 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	BIPOLAR	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

HMC324MS8G 数据手册

HMC324MS8G

MICROWAVE CORPORATION

HBT DUAL DRIVER AMPLIFIER DC - 3.0 GHz

FEBRUARY 2001

V00.1200

Features

General Description

P1dB Output Power: + 16 dBm

The HMC324MS8G is a high efficiency GaAs

InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)

MMIC amplifier that contains two un-connected

amplifiers in parallel inside an 8 lead MSOPG

package. When used in conjunction with an

external balun, the outputs of the amplifier can

be combined to reduce the 2nd harmonic distor-

tion that is generated by the amplifier. With Vcc

at +7.5V, the HMC324MS8G offers 13 dB of

gain and with power combining and harmonic

cancellation, +22 dBm of output power can be

achieved. Using a Darlington feedback pair re-

sults in reduced sensitivity to normal process

variations and provides a good 50-ohm input/

output port match. This amplifier is ideal for RF

systems where high linearity is required. The

design can operate in 50-ohm and 75-ohm sys-

tems which makes it ideal for CATV head-end

and modem, and MCNS applications.

Output IP3: +31 dBm

Single Supply: 8.75V

Ultra Small Package: MSOP8G

Guaranteed Performance, -40 to +60 deg C

Vs= 8.75V, RBIAS= 22 Ohm

Parameter

Min.

Typ.

DC - 3.0

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain @ 25 °C

Gain Variation over Temperature

Input Return Loss

0.015

0.025

dB/ °C

Output Return Loss

Reverse Isolation

Output Power for 1dB Compression (P1dB) @ 1 GHz

Saturated Output Power (Psat) @ 1 GHz

Output Third Order Intercept (IP3) @ 1 GHz

Noise Figure

dBm

Supply Current (Icc)

Note: All specifications refer to a single amplifier.

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343

Fax: 978-250-3373

Web Site: www.hittite.com

1 - 156

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与HMC324MS8G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HMC324MS8G_01	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DUAL DRIVER AMPLIFIER, DC - 3.0 GHz
HMC326	ADI	获取价格	GaAs InGaP HBT 驱动放大器，SMT，3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8G	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8G	ADI	获取价格	GaAs InGaP HBT Driver Amplifier SMT, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8G_07	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8G_09	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8GE	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8GE	ADI	获取价格	GaAs InGaP HBT Driver Amplifier SMT, 3.0 - 4.5 GHz
HMC326MS8GERTR	ADI	获取价格	IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,TSSOP,8PIN,PLASTIC

与HMC324MS8G相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

17
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

14
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC324MS8G

HMC324MS8G 技术参数

HMC324MS8G 数据手册

与HMC324MS8G相关器件

与HMC324MS8G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HMC324MS8G

HMC324MS8G 技术参数

HMC324MS8G 数据手册

与HMC324MS8G相关器件

与HMC324MS8G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？