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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HMC322LP4E
HMC322LP4E PDF预览

HMC322LP4E

更新时间： 2024-11-07 10:53:43
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波开关射频开关微波开关分离技术隔离技术
页数 文件大小 规格书
6页 272K
描述
GaAs MMIC SP8T NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 8 GHz

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HMC322LP4E 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：LCC24,.16SQ,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.06Is Samacsys：N
1dB压缩点：23 dBm其他特性：HIGH ISOLATION
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
最大输入功率 (CW)：26.02 dBm最大插入损耗：2.9 dB
最小隔离度：20 dBJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：24准时：0.15 µs
最大工作频率：8000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC24,.16SQ,20
端口终止：ABSORPTIVE电源：-5 V
射频/微波设备类型：SP8T子类别：RF/Microwave Switches
表面贴装：YES技术：GAAS
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

HMC322LP4E 数据手册

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HMC322LP4 / 322LP4E  
v05.1205  
GaAs MMIC SP8T NON-REFLECTIVE  
SWITCH, DC - 8 GHz  
Typical Applications  
Features  
This switch is suitable for usage in DC - 8.0 GHz 50-  
Ohm or 75-Ohm systems:  
Broadband Performance: DC - 8.0 GHz  
High Isolation: >30 dB@ 6 GHz  
Low Insertion Loss: 2.4 dB@ 6 GHz  
Integrated 3:8 TTL Decoder  
4x4 mm SMT Package  
• Broadband  
• Fiber Optics  
• Switched Filter Banks  
• Wireless below 8 GHz  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC322LP4 & HMC322LP4E are broadband  
non-reflective GaAs MESFET SP8T switches in low  
cost leadless surface mount packages. Covering DC  
to 8 GHz, this switch offers high isolation and low  
insertion loss. This switch also includes an on board  
binary decoder circuit which reduces the required  
logic control lines to three. The switch operates using  
a negative control voltage of 0/-5 volts, and requires  
a fixed bias of -5V. This switch is suitable for usage in  
50-Ohm or 75-Ohm systems.  
10  
Electrical Specifications, TA = +25° C, With 0/-5V Control, 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 2.0 GHz  
DC - 4.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
2.1  
2.3  
2.5  
2.5  
2.7  
2.9  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
Isolation  
DC - 2.0 GHz  
DC - 4.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
35  
30  
25  
20  
40  
35  
30  
25  
dB  
dB  
dB  
dB  
DC - 2.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
9
6
12  
10  
dB  
dB  
Return Loss  
Return Loss  
“On State”  
“Off State”  
DC - 8.0 GHz  
0.5 - 8.0 GHz  
7
10  
23  
dB  
Input Power for 1 dB Compression  
19  
dBm  
Input Third Order Intercept  
(Two-Tone Input Power = +7 dBm Each Tone)  
0.5 - 8.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
36  
40  
dBm  
Switching Characteristics  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
50  
150  
ns  
ns  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
10 - 178  
123456

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