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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC320MS8GTR
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HMC320MS8GTR

更新时间： 2024-09-17 13:08:23
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
6页 261K
描述
Wide Band Low Power Amplifier,

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HMC320MS8GTR 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.62射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
Base Number Matches：1

HMC320MS8GTR 数据手册

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HMC320MS8G / 320MS8GE  
v02.0607  
GaAs MMIC LOW NOISE  
AMPLIFIER , 5.0 - 6.0 GHz  
5
Typical Applications  
The HMC320MS8G / HMC320MS8GE is ideal for:  
Features  
Selectable Functionality:  
LNA, Driver, or LO Buffer Amp  
• UNII  
Adjustable Input IP3 Up to +10 dBm  
+3V Operation  
• HiperLAN  
Ultra Small 8 Lead MSOP:  
14.8 mm2 x 1mm High  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC320MS8G & HMC320MS8GE are low cost  
C-band fixed gain Low Noise Amplifiers (LNA). The  
HMC320MS8G & HMC320MS8GE operate using a  
single positive supply that can be set between +3V  
and +5V. With +3V bias, the LNA provides a noise  
figure of 2.5dB, 12dB gain and better than 10dB return  
loss across the UNII band. The HMC320MS8G &  
HMC320MS8GE also feature an adaptive baising that  
allows the user to select the optimal P1dB performance  
for their system using an external set resistor on the  
“RES” pin. P1dB performance can be set between a  
range of +1 dBm to +13dBm. The low cost LNA uses  
an 8-leaded MSOP ground base surface mount plas-  
tic package, which occupies less than 14.8mm2.  
Electrical Specifications, TA = +25° C, Vdd = +3V  
Low Power*  
(VSET = 0V, Idd = 7 mA)  
Medium Power*  
(VSET = 3V, Idd = 25 mA)  
High Power*  
(VSET = 3V, Idd = 40 mA)  
Parameter  
Units  
Min.  
Typ.  
5 - 6  
10  
Max.  
Min.  
Typ.  
5 - 6  
12  
Max.  
Min.  
Typ.  
5 - 6  
13  
Max.  
Frequency Range  
Gain  
GHz  
dB  
8
16  
8
16  
9
16  
Gain Variation over Temperature  
0.025  
0.035  
0.025  
0.035  
0.025  
0.035  
dB/°C  
Gain Flatness  
0.5  
2.7  
10  
13  
-1  
1.0  
2.5  
10  
18  
9
1.5  
2.6  
10  
dB  
dB  
Noise Figure  
3.8  
3.8  
3.8  
Input Return Loss  
4
7
4
10  
6
4
10  
9
dB  
Output Return Loss  
20  
dB  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Input Third Order Intercept Point (IIP3)  
Supply Current (Idd)  
-4  
-3  
12  
dBm  
dBm  
mA  
1
4
8
6
10  
7
25  
40  
* RBIAS resistor value sets current. See adaptive biasing application note.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 60  
123456

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