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HMC311ST89ETR

更新时间： 2024-09-21 19:29:39

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		射频微波
页数	文件大小	规格书
6页	248K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 1 Func, BIPolar,

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HMC311ST89ETR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-243	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.35	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TO-243
电源：	5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	74 mA
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
Base Number Matches：	1

HMC311ST89ETR 数据手册

HMC311ST89 / 311ST89E

v03.0710

InGaP HBT GAIN BLOCK

MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz

Typical Applications

The HMC311ST89(E) is ideal for:

• Cellular / PCS / 3G

Features

P1dB Output Power: +15.5 dBm

Output IP3: +31.5 dBm

Gain: 16 dB

• Fixed Wireless & WLAN

• CATV & Cable Modem

• Microwave Radio

50 Ohm I/O’s

Industry Standard SOT89 Package

Included in the HMC-DK001 Designer’s Kit

General Description

Functional Diagram

The HMC311ST89(E) is a GaAs InGaP Heterojunc-

tion Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC SMT

DC to 6 GHz ampliﬁer. Packaged in an industry

standard SOT89, the ampliﬁer can be used as either

a cascadable 50 Ohm gain stage or to drive the LO of

HMC mixers with up to +16.5 dBm output power. The

HMC311ST89(E) offers 16 dB of gain and an output

IP3 of +31.5 dBm while requiring only 54 mA from a

+5V supply. The Darlington feedback pair used results

in reduced sensitivity to normal process variations

and yields excellent gain stability over temperature

while requiring a minimal number of external bias

components.

Electrical Speciﬁcations, Vs= 5V, Rbias= 22 Ohm, T_A= +25° C

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

DC - 1.0 GHz

1.0 - 4.0 GHz

4.0 - 6.0 GHz

14.0

13.0

12.5

16.0

15.0

14.5

Gain

DC - 2.0 GHz

2.0 - 4.0 GHz

4.0 - 6.0 GHz

0.004

0.007

0.012

0.007

0.012

0.016

dB/ °C

Gain Variation Over Temperature

DC - 2.0 GHz

2.0 - 5.0 GHz

5.0 - 6.0 GHz

Return Loss Input / Output

Reverse Isolation

DC - 6 GHz

DC - 2.0 GHz

2.0 - 4.0 GHz

4.0 - 6.0 GHz

13.5

12.0

10.0

15.5

15.0

13.0

dBm

Output Power for 1 dB Compression (P1dB)

DC - 1.0 GHz

1.0 - 2.0 GHz

2.0 - 4.0 GHz

4.0 - 6.0 GHz

31.5

dBm

Output Third Order Intercept (IP3)

Noise Figure

DC - 4 GHz

4.0 - 6.0 GHz

4.5

Supply Current (Icq)

Note: Data taken with broadband bias tee on device output.

For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824

Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com

Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com

8 - 20

12 3 4 5 6

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HMC311ST89E	HITTITE	类似代替	InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz

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HMC311ST89TR	HITTITE	获取价格	暂无描述
HMC313	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC BROADBAND AMPLIFIER GAIN BLOCK, DC - 6.0 GHz
HMC313	ADI	获取价格	InGaP HBT增益模块放大器SMT，DC - 6 GHz
HMC313_07	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC BROADBAND AMPLIFIER GAIN BLOCK, DC - 6.0 GHz
HMC313_09	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC BROADBAND AMPLIFIER GAIN BLOCK, DC - 6 GHz
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HMC313ETR	HITTITE	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 6000MHz Max, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC
HMC313TR	ADI	获取价格	HMC313TR
HMC314	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 0.7 - 4.0 GHz
HMC314_02	HITTITE	获取价格	GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER, 0.7 - 4.0 GHz

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