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HMC311SC70ETR PDF预览

HMC311SC70ETR

更新时间： 2024-02-11 08:16:23
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 放大器
页数 文件大小 规格书
6页 234K
描述
Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 8000MHz Max, 1 Func, GAAS, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, SC-70, 6 PIN

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HMC311SC70ETR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：TSSOP6,.08
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.67特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：11 dB
最大输入功率 (CW)：10 dBmJESD-609代码：e0
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：6最大工作频率：8000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TSSOP6,.08电源：5 V
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：74 mA表面贴装：YES
技术：GAAS端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

HMC311SC70ETR 数据手册

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HMC311SC70 / 311SC70E  
v02.1108  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 8 GHz  
Typical Applications  
The HMC311SC70(E) is ideal for:  
• Cellular / PCS / 3G  
Features  
P1dB Output Power: +15 dBm  
Output IP3: +30 dBm  
Gain: 15 dB  
9
• WiBro / WiMAX / 4G  
• Fixed Wireless & WLAN  
• CATV & Cable Modem  
Cascadable, 50 Ohm I/O’s  
Single Supply: +5V  
• Microwave Radio & Test Equipment  
Industry Standard SC70 Package  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC311SC70(E) is a GaAs InGaP Heterojunction  
Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC SMT  
DC to 8 GHz amplifier. Packaged in an industry  
standard SC70, the amplifier can be used as either  
a cascadable 50 Ohm gain stage or to drive the LO  
port of HMC mixers with up to +15 dBm output power.  
The HMC311SC70(E) offers 15 dB of gain and an  
output IP3 of +30 dBm while requiring only 54 mA  
from a +5V supply. The Darlington topology results in  
reduced sensitivity to normal process variations, and  
yields excellent gain stability over temperature while  
requiring  
a
minimal number of external bias  
components.  
Electrical Specifications, Vs= 5V, Rbias= 22 Ohm, TA = +25° C  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
14.0  
13.0  
12.5  
11.0  
15.0  
15.0  
14.5  
13.0  
dB  
dB  
dB  
dB  
Gain  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
0.004  
0.007  
0.012  
0.018  
0.007  
0.012  
0.016  
0.022  
dB/ °C  
dB/ °C  
dB/ °C  
Gain Variation Over Temperature  
Return Loss Input / Output  
Reverse Isolation  
DC - 8.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
15  
18  
dB  
dB  
DC - 2.0 GHz  
2.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
13.5  
12.0  
10.0  
8.0  
15.5  
15.0  
13.0  
11.0  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
DC - 2.0 GHz  
2.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
30  
27  
24  
dBm  
dBm  
dBm  
Noise Figure  
DC - 8.0 GHz  
5
dB  
Supply Current (Icq)  
55  
74  
mA  
Note: Data taken with broadband bias tee on device output.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
9 - 14  
123456

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HMC311SC70ETR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HMC311SC70E HITTITE

完全替代

 InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 8 GHz

与HMC311SC70ETR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HMC311SC70RTR ADI

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