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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC311SC70E
HMC311SC70E PDF预览

HMC311SC70E

更新时间： 2024-09-21 04:21:59
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器PC
页数 文件大小 规格书
6页 306K
描述
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 8 GHz

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HMC311SC70E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：TSSOP6,.08
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.46Is Samacsys：N
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：11 dB最大输入功率 (CW)：10 dBm
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：6
最大工作频率：8000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：TSSOP6,.08
电源：5 V射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：74 mA
表面贴装：YES技术：GAAS
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

HMC311SC70E 数据手册

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HMC311SC70 / 311SC70E  
v01.0807  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 8 GHz  
5
Typical Applications  
The HMC311SC70(E) is ideal for:  
• Cellular / PCS / 3G  
Features  
P1dB Output Power: +15 dBm  
Output IP3: +30 dBm  
Gain: 15 dB  
• WiBro / WiMAX / 4G  
• Fixed Wireless & WLAN  
• CATV & Cable Modem  
Cascadable, 50 Ohm I/O’s  
Single Supply: +5V  
• Microwave Radio & Test Equipment  
Industry Standard SC70 Package  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC311SC70(E) is a GaAs InGaP Heterojunction  
Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC SMT  
DC to 8 GHz amplifier. Packaged in an industry  
standard SC70, the amplifier can be used as either  
a cascadable 50 Ohm gain stage or to drive the LO  
port of HMC mixers with up to +15 dBm output power.  
The HMC311SC70(E) offers 15 dB of gain and an  
output IP3 of +30 dBm while requiring only 54 mA  
from a +5V supply. The Darlington topology results in  
reduced sensitivity to normal process variations, and  
yields excellent gain stability over temperature while  
requiring  
a
minimal number of external bias  
components.  
Electrical Specifications, Vs= 5V, Rbias= 22 Ohm, TA = +25° C  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
14.0  
13.0  
12.5  
11.0  
15.0  
15.0  
14.5  
13.0  
dB  
dB  
dB  
dB  
Gain  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
0.004  
0.007  
0.012  
0.018  
0.007  
0.012  
0.016  
0.022  
dB/ °C  
dB/ °C  
dB/ °C  
Gain Variation Over Temperature  
Return Loss Input / Output  
Reverse Isolation  
DC - 8.0 GHz  
DC - 8.0GHz  
15  
18  
dB  
dB  
DC - 2.0 GHz  
2.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
13.5  
12.0  
10.0  
8.0  
15.5  
15.0  
13.0  
11.0  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
DC - 2.0 GHz  
2.0 - 6.0 GHz  
6.0 - 8.0 GHz  
30  
27  
24  
dBm  
dBm  
dBm  
Noise Figure  
DC - 8.0 GHz  
5
dB  
Supply Current (Icq)  
54  
74  
mA  
Note: Data taken with broadband bias tee on device output.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
5 - 16  
123456

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HMC311SC70E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HMC311SC70ETR HITTITE

完全替代

 Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 8000MHz Max, 1 Func, GAAS, ROHS COMPLIANT, PLASTI
HMC311SC70 HITTITE

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