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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> HMC311LP3E
HMC311LP3E PDF预览

HMC311LP3E

更新时间： 2024-09-22 10:53:39
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波射频放大器微波放大器PC
页数 文件大小 规格书
6页 229K
描述
InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz

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HMC311LP3E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：LCC16,.12SQ,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.02Is Samacsys：N
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：12 dB最大输入功率 (CW)：10 dBm
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：16
最大工作频率：6000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC16,.12SQ,20
电源：5 V射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers表面贴装：YES
技术：GAAS端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

HMC311LP3E 数据手册

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HMC311LP3 / 311LP3E  
v04.1108  
InGaP HBT GAIN BLOCK  
MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz  
Typical Applications  
The HMC311LP3(E) is ideal for:  
• Cellular / PCS / 3G  
Features  
P1dB Output Power: +15.5 dBm  
Output IP3: +32 dBm  
Gain: 14.5 dB  
9
• Fixed Wireless & WLAN  
• CATV & Cable Modem  
• Microwave Radio  
50 Ohm I/O’s  
16 Lead 3x3mm SMT Package: 9mm2  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC311LP3(E) is a GaAs InGaP Heterojunction  
Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC  
SMT DC to  
6
GHz amplifiers. This 3x3mm  
QFN packaged amplifier can be used as either a  
cascadable 50 Ohm gain stage or to drive the LO of  
HMC mixers with up to +17 dBm output power. The  
HMC311LP3(E) offers 14.5 dB of gain and an output  
IP3 of +32 dBm while requiring only 56 mA from a  
+5V supply. The Darlington feedback pair used results  
in reduced sensitivity to normal process variations  
and yields excellent gain stability over temperature  
while requiring a minimal number of external bias  
components.  
Electrical Specifications, Vs= 5V, Rbias= 22 Ohm, TA = +25° C  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
13.0  
12.5  
12.0  
14.5  
14.3  
14.0  
dB  
dB  
dB  
Gain  
DC - 2.0 GHz  
2.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
0.005  
0.008  
0.012  
0.008  
0.012  
0.016  
dB/ °C  
dB/ °C  
dB/ °C  
Gain Variation Over Temperature  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 3.0 GHz  
3.0 - 6.0 GHz  
13  
11  
15  
dB  
dB  
dB  
Return Loss Input / Output  
Reverse Isolation  
DC - 6 GHz  
18  
dB  
DC - 2.0 GHz  
2.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
13.5  
12.0  
10.0  
15.5  
15.0  
13.0  
dBm  
dBm  
dBm  
Output Power for 1 dB Compression (P1dB)  
Output Third Order Intercept (IP3)  
DC - 1.0 GHz  
1.0 - 2.0 GHz  
2.0 - 4.0 GHz  
4.0 - 6.0 GHz  
32  
30  
28  
24  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
Noise Figure  
DC - 6 GHz  
4.5  
55  
dB  
Supply Current (Icq)  
74  
mA  
Note: Data taken with broadband bias tee on device output.  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
9 - 8  
123456

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HMC311LP3E 替代型号

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