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HMC232C8TR

更新时间： 2024-02-18 05:43:25
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 168K
描述
SPDT,

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HMC232C8TR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOP8,.3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.611dB压缩点：26 dBm
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
最大输入功率 (CW)：30 dBm最大插入损耗：2.8 dB
最小隔离度：37 dB安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：8
准时：0.005 µs最大工作频率：8000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC
封装等效代码：SOP8,.3端口终止：ABSORPTIVE
射频/微波设备类型：SPDT表面贴装：YES
技术：GAASBase Number Matches：1

HMC232C8TR 数据手册

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HMC232C8  
v03.1105  
GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION  
SPDT SWITCH, DC - 8 GHz  
Typical Applications  
The HMC232C8 is ideal for:  
• Telecom Infrastructure  
Features  
Isolation: 55 dB @ 2 GHz  
43 dB @ 6 GHz  
Insertion Loss: 1.6 dB Typical @ 6 GHz  
Non-Reflective Design  
• Microwave Radio & VSAT  
• Military Radios, Radar & ECM  
• Test Instrumentation  
Surface Mount Ceramic Package  
Direct Replacement for HMC132C8  
Functional Diagram  
General Description  
The HMC232C8 is a broadband high isolation non-  
reflective GaAs MESFET SPDT switch in a non-  
hermetic surface mount ceramic package. Covering  
DC to 8 GHz, the switch features >55 dB isolation  
up to 2 GHz and >42 dB isolation up to 8 GHz. The  
switch operates using complementary negative  
control voltage logic lines of -5/0V and requires no  
bias supply. This product is a form, fit & functional  
replacement for the HMC132C8.  
10  
Electrical Specifications, TA = +25° C, With 0/-5V Control, 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
1.2  
1.6  
2.2  
1.5  
2.0  
2.8  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
50  
38  
37  
55  
43  
42  
dB  
dB  
dB  
Isolation  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
19  
12  
10  
dB  
dB  
dB  
Return Loss  
“On State”  
“Off State”  
DC - 2.0 GHz  
DC - 6.0 GHz  
DC - 8.0 GHz  
13  
8
7
dB  
dB  
dB  
Return Loss RF1, RF2  
Input Power for 1 dB Compression  
Input Third Order Intercept  
0.5 - 8.0 GHz  
0.5 - 8.0 GHz  
22  
40  
26  
46  
dBm  
dBm  
(Two-Tone Input Power= +7 dBm Each Tone, 1 MHz Tone Separation)  
Switching Characteristics  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
DC - 8.0 GHz  
3
5
ns  
ns  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
10 - 66  
123456

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