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HMC-APH608

更新时间： 2024-02-07 11:41:54

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
6页	200K
描述
GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, 22.5 - 26.5 GHz

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HMC-APH608 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	DIE-6
针数：	0	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	7.59	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	16 dB
最大输入功率 (CW)：	30 dBm	最大工作频率：	26500 MHz
最小工作频率：	22500 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
Base Number Matches：	1

HMC-APH608 数据手册

HMC-APH608

v03.0409

GaAs HEMT MMIC 1 WATT POWER

AMPLIFIER, 22.5 - 26.5 GHz

Typical Applications

Features

Output IP3: +40 dBm

P1dB: +30 dBm

This HMC-APH608 is ideal for:

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• VSAT

Gain: 17 dB

Supply Voltage: +5V

50 Ohm Matched Input/Output

Die Size: 4.49 x 1.31 x 0.1 mm

• Military & Space

General Description

Functional Diagram

The HMC-APH608 is a high dynamic range, two stage

GaAs HEMT MMIC 1 Watt Power Ampliﬁer which

operates between 22.5 and 26.5 GHz. The HMC-

APH608 provides 17 dB of gain, and an output power

of +30 dBm at 1 dB compression from a +5V supply

voltage. All bond pads and the die backside are Ti/Au

metallized and the ampliﬁer device is fully passivated

for reliable operation. The HMC-APH608 GaAs

HEMT MMIC 1 Watt Power Ampliﬁer is compatible

with conventional die attach methods, as well as

thermocompression and thermosonic wire bonding,

making it ideal for MCM and hybrid microcircuit

applications. All data Shown herein is measured with

the chip in a 50 Ohm environment and contacted with

RF probes.

[1]

[2]

Electrical Speciﬁcations , T_A= +25° C, Vdd1=Vdd2 = 5V, Idd1+Idd2 = 950 mA

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Min.

Typ.

24 - 26.5

Max.

Units

GHz

Frequency Range

Gain

22.5 - 26.5

14.5

Input Return Loss

Output Return Loss

Output power for 1dB Compression (P1dB)

Output Third Order Intercept (IP3)

Supply Current (Idd1+Idd2)

950

dBm

950

[1] Unless otherwise indicated, all measurements are from probed die

[2] Adjust Vgg1=Vgg2 between -1V to +0.3V (typ. -0.5V) to achieve Idd1 = 350 mA, Idd2 = 600 mA

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

3 - 214

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