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HMC-ALH445

更新时间： 2024-09-25 03:42:15

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6页	244K
描述
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 18 - 40 GHz

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HMC-ALH445 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.B.2.D
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	8 dB
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	JESD-609代码：	e4
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：	18000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	端子面层：	Gold (Au)
Base Number Matches：	1

HMC-ALH445 数据手册

HMC-ALH445

v00.1007

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, 18 - 40 GHz

Typical Applications

Features

Noise Figure: 3.9 dB @ 28 GHz

Gain: 9 dB

This HMC-ALH445 is ideal for:

• Wideband Communication Systems

• Point-to-Point Radios

P1dB Output Power: +12 dBm @ 28 GHz

Supply Voltage: +5V @ 45 mA

Die Size: 1.6 x 1.6 x 0.1 mm

• Point-to-Multi-Point Radios

• Military & Space

• Test Instrumentation

General Description

Functional Diagram

The HMC-ALH445 is a GaAs MMIC HEMT self-biased,

wideband Low Noise Ampliﬁer die which operates

between 18 and 40 GHz. The ampliﬁer provides

9 dB of gain, 3.9 dB noise ﬁgure at 28 GHz and

+12 dBm of output power at 1 dB gain compression

while requiring only 45 mA from a single +5V supply.

The HMC-ALH445 ampliﬁer is ideal for integration into

Multi-Chip-Modules (MCMs) due to its small size.

Electrical Speciﬁcations*, T_A= +25° C, Vdd= +5V

Parameter

Min.

Typ.

18 - 28

Max.

Min.

Typ.

28 - 40

Max.

4.5

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Noise Figure

3.9

Input Return Loss

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression

dBm

Supply Current (Idd) (Vdd = 5V)

*Unless otherwise indicated, all measurements are from probed die

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

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