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HMC-ALH369

更新时间： 2024-09-24 03:42:15

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
页数	文件大小	规格书
3页	135K
描述
GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 40 GHz

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HMC-ALH369 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.B.2.D
风险等级：	8.48	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	15 dB	最大输入功率 (CW)：	5 dBm
JESD-609代码：	e4	功能数量：	1
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：	24000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	GAAS	端子面层：	Gold (Au)
Base Number Matches：	1

HMC-ALH369 数据手册

HMC-ALH369

v00.1007

GaAs HEMT MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, 24 - 40 GHz

Typical Applications

Features

Excellent Noise Figure: 2.0 dB

Gain: 22 dB

This HMC-ALH369 is ideal for:

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios

• Phased Arrays

P1dB Output Power: +11 dBm

Supply Voltage: +5V @ 66 mA

Die Size: 2.10 x 1.37 x 0.1 mm

• VSAT

• SATCOM

General Description

Functional Diagram

The HMC-ALH369 is a GaAs MMIC HEMT three stage,

self-biased Low Noise Ampliﬁer die which operates

between 24 and 40 GHz. The ampliﬁer provides 22 dB

of gain, from a single bias supply of +5V @ 66 mA with

a noise ﬁgure of 2 dB. The HMC-ALH369 ampliﬁer die

is ideal for integration into Multi-Chip-Modules (MCMs)

due to its small size (2.88 mmꢀ).

Electrical Speciﬁcations ^[1], T_A= +25° C, Vdd= +5V, Idd = 66mA

Parameter

Min.

Typ.

24 - 32

Max.

Min.

Typ.

32 - 40

Max.

2.5

Units

GHz

Frequency Range

Gain

Noise Figure

Input Return Loss

2.5

2.1

Output Return Loss

Output Power for 1 dB Compression

Supply Current (Idd)

dBm

[1] Unless otherwise indicated, all measurements are from probed die

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order On-line at www.hittite.com

0 - 30

12 3

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